第6章（MOS电容）.ppt

半导体器件原理 南京大学 3）介质中电荷与界面态 （1）三种表面：清洁表面，真实表面，表面生长氧化层。 ?清洁表面和真实表面 ?内表面： 类似于清洁表面，有受主能级又有施主能级。易与体内交换电子—快态（ms）。 ?外表面： 具有表面能级（离子吸附与杂质沾污），密度与周围气氛有关，难与体内交换电子——慢态。 半导体器件原理 南京大学 （2）界面附近的固定正电荷 分布在近界面10 nm 内，1011-1012/cm2 电子积累，n变为n+；空穴耗尽甚至反型，p变为n。 硅正离子或氧空位，依赖于工艺条件或晶向。 半导体器件原理 南京大学 ?界面态密度： (100) (110) (111) 干氧氧化：界面态较高 湿氧氧化：界面态较低 ?氧化后进行低温处理，减少界面态。 （3）Si—SiO2界面态 ?类似于真实表面的内表面态，施主与受主。 ? p型：界面态施主型。 氧化过程引入的杂质或晶体中杂质的外扩散。 n型：界面态受主型。 悬挂键及晶格失配所引起。 半导体器件原理 南京大学 （4）氧化层中的可动电荷 来源：沾污氧化层外表面的正离子，在电场或温度的作用下，漂移到近界面处。 影响：在硅表面处感应负电荷，影响器件的稳定性。 成份：Na+，K+，Li+，H+。 ?热氧化后去除表层氧化层， ?采用P处理, ?无钠清洁工艺 ?用氮化硅作表面钝化。 半导体器件原理 南京大学 （5）电离陷阱 高能射线照射下，在二氧化硅中产生电子空穴对，在负极附近产生正的空间电荷区，即电离陷阱。 解决：在H2或N2中退火。 半导体器件原理 南京大学 4）介质中电荷与界面态的影响 (1)表面势 固定于界面SiO2一侧正电荷QSS的存在，使半导体表面及金属电极上感生出负电荷-Qsc及-Qm。 正电荷作用下，半导体表面能带下弯，类似于外加正偏压的影响。 平带电压VFB，这时QSC=0，电场集中在SiO2内，?VFB? =QSS/ COX 。 正电荷的影响：CV曲线沿-VG移动了距离?VFB?（P和N型）。 半导体器件原理 南京大学 （2）界面陷阱电容（并联于硅电容） （3）表面产生复合中心（减小少子寿命） 在耗尽时起作用，而在反型或积累时不起作用。 （4）表面态或陷阱帮助的带到带隧穿 半导体器件原理 南京大学 二、高场效应 1. 碰撞离化和雪崩击穿 ?p 单位距离内空穴导致电子空穴对产生 ?n单位距离内电子导致电子空穴对产生 * * 半导体器件原理 南京大学 （一）表面势 P type Si N type Si 第6章 MOS电容与高场效应 一、MOS电容 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 积累 耗尽或反型 P型 N型 上弯 正 ?s 0 指向半导体外 VG0 耗尽或反型 积累 P型 N型 下弯 负 ?s0 指向半导体内 VG0 表面状况 半导体类型 能带 表面空间电荷区 表面势 表面 电场 电压 偏置 半导体器件原理 南京大学 （二）静电势与电荷分布 半导体器件原理 南京大学 ? ? ? 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 a: ?s0: Qsc0, 空穴积累 b: 0 ?s ?F： Qs 0, 空穴耗尽（高阻势垒区），忽略耗尽层载流子浓度。 负空间电荷随?s增大的速度变慢。 外加负偏压的增加，使??s?增大，Qsc指数上升。(空穴对表面电场的屏蔽作用） 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 c: ?F ?s 2?F：从p区反型成n区，弱反型。 ?s? 2?F，强反型。 Qsc?随?s指数上升。 （电子对表面电场的屏蔽作用） 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 (三) ?s及W与外加偏压的关系 外加电压降落在二氧化硅层和半导体表面内的空间电荷区上。 半导体器件原理 南京大学 1）对耗尽层情况： 由氧化层厚度，半导体掺杂浓度，可得?s随VG的变化关系。 半导体器件原理 南京大学 2）对强反型情况： 空间电荷密度还包括载流子，耗尽层宽度达极大值。 外加电压只引起反型层中电子浓度的增加以及金属电极上正电荷的增加。 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 （1）VG0 时的积累区 表面能带上弯，p型表面形成空穴积累区，表面势?s的微小变化引起Qsc的很大变化，即CS较大。 MOS电容近似等于氧化层电容COX，与外电压无关。 半导体器件原理 南京大学 积累区: 空间电荷的变化通过