设备技术性能指标及参数目的用途环境要求等设备用途可.doc

（设备技术性能指标及参数、目的、用途、环境要求等） 设备用途 可实现Si、SiO2、Si3N4以及聚合物（如Teflon、Parylene）等常规材料刻蚀。 投标厂家提供多种工艺调试和开发的服务。 设备规格 反应腔体： 腔体由整块铝锭加工制成、无焊缝、低漏率。 真空窗口，可观察腔体内部状况。 Load lock腔体： 可传输6英寸晶圆。 真空窗口，可观察腔体内晶圆传输状况。 利用机械手臂进行晶圆传输。 下电极： 尺寸不小于220mm。 晶圆采用背面氦气冷却。 可承载6圆形晶圆或4x4 cm玻璃片。 感应耦合等离子体（ICP）源 等离子体不均匀性： ±5% （6英寸） 射频（RF）电源： 感应耦合等离子体（ICP）发生器，采用进口射频电源，功率不低于1kW，可自动进行匹配。 （国际知名品牌例如：AE、ADTEC等） 下电极射频偏置发生器，采用进口射频电源，功率不低于300W，频率为13.56MHz，可自动进行匹配。（国际知名品牌例如：AE、ADTEC等） 反应气体模块： *工艺气体：至少配置5路。 采用进口MFC，精准度1%。（国际知名品牌例如：MKS、Brooks、Horiba等） 采用美国Swagelok气动隔离阀。 采用1/4 SUS316电抛光EP管及VCR接头。 反应腔体抽真空模块： 采用进口涡轮分子泵。（国际知名品牌例如：Edwards、Alcatel、Leybold、Pfeiffer等） 采用进口干泵。（国际知名品牌例如：Edwards、Alcatel、HanBell、Pfeiffer等） 10min内，腔体压力从大气抽到5E-5 Torr 本底真空： 1E-6 Torr 具备自动工艺压力控制(APC)功能（国际知名品牌例如：VAT、MKS等） Load lock腔体抽真空模块： 采用进口真空泵。（国际知名品牌例如：Edwards、Alcatel、Pfeiffer、Ulvac等） 本底真空： 10 Pa 自动控制系统： 自动控制软件，并可切换为手动控制，可一键控制真空泵抽气及排气以及所有挡板及阀门。 工艺要求 SiO2刻蚀工艺： *刻蚀速率：≥ 100 nm/min *片内刻蚀均匀性：≤ ± 3%（6英寸） *片间刻蚀重复性：≤ ± 3%（6英寸） *侧壁角度：＞82° *深宽比：＞2:1（宽2μm） 选择比（SiO2:PR）:≥ 1.5:1 Si3N4刻蚀工艺： *刻蚀速率：≥ 150 nm/min *片内刻蚀均匀性：≤ ± 3%（6英寸） *片间刻蚀重复性：≤ ± 3%（6英寸） *侧壁角度：＞82° *深宽比：＞2:1（宽2μm） 选择比（Si3N4:PR）：≥ 1.2:1 配套附件 冷却水机1台。 用户培训 交机安装完成后将免费提供设备操作的训练课程。训练课程包含介绍系统特色、系统架构与说明、系统联机与保养、实际操作训练。 提供中文和英文标准作业流程（SOP）纸本各两份与电子文件。 提供简易工具箱，以方便未来设备维修使用。 交货日期 合同签订后4个月可以完成交货。