第二章－迁移率测量-4-Transient EL.ppt

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2018-03-10 发布于江西
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第二章－迁移率测量-4-Transient EL.ppt

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第二章－迁移率测量-4-Transient EL

* 第二章有机半导体材料载流子迁移率测试方法四、瞬态电致发光 (Transient Electroluminescence, Transient EL) (Time-Resolved Transient EL) ITO 有机发光半导体电极2 单层- 多层有机发光二极管，所施加的偏压为矩形电压脉冲。 4.1、器件结构及原理脉冲电压 + _ 光强检测器在矩形脉冲的作用下，空穴从阳极注入，电子从阴极注入，一定的延迟时间后，空穴流和电子流的前锋在有机发光半导体中或有关界面处发生复合发光，光强的变化过程被检测器接收。电压脉冲过程和光强的变化过程被数字示波器同步记录。 1、10微秒矩形电压脉冲长度 2、电压高度16V 关键是记录EL发光的延迟时间 td 。还可以得出达饱和光强的时间tr 。还可以获得不同脉冲电压下对应的EL发光的延迟时间 td 。 4.2、迁移率的计算举例1 ITO/NPB (30 nm)/silole (60 nm)/Alq3 (5 nm)/LiF (1 nm)/Al 2.4 5.4 4.9 eV 2.8 5.8 3.0 5.7 ITO NPB silole Alq3 LiF 4.3 eV Al 迁移率的计算： ? = L2 / (td ? V) L ：发光层(silole)厚度 td ：延迟时间 V ：电压 ?e = (60 ?10?9 ?102 cm)2 (3.12?10?6 s ? 6 V) = 1.92?10?6 cm2/V s 举例2 电子和空穴有相当的注入势垒 *