模拟电子技术基础第05章_场效应管放大电路教材教学课件.ppt

1 湖南科技大学信息与电气工程学院 第五章 场效应管放大电路 2 5 场效应管放大电路 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路 3 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 （耗尽型） 场效应管的分类： 4 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构（N沟道） L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W L 6 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 剖面图 1. 结构（N沟道） 7 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 （1）vGS对沟道的控制作用 当vGS≤0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也无电流产生。 当0vGS VT 时 产生电场，但未形成导电沟道（感生沟道），d、s间加电压后，没有电流产生。 当vGS VT 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流产生。 vGS越大，导电沟道越厚 VT 称为开启电压 8 2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 靠近漏极d处的电位升高 电场强度减小 沟道变薄 当vGS一定（vGS VT ）时， vDS ID 沟道电位梯度 整个沟道呈楔形分布 12 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ① 截止区 当vGS＜VT时，导电沟道尚未形成，iD＝0，为截止工作状态。 13 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ② 可变电阻区 vDS≤（vGS－VT） 由于vDS较小，可近似为 rdso是一个受vGS控制的可变电阻 14 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ② 可变电阻区 n ：反型层中电子迁移率 Cox ：栅极（与衬底间）氧化层单位面积电容 其中 Kn为电导常数，单位：mA/V2 15 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ③ 饱和区 （恒流区又称放大区） vGS VT ，且vDS≥（vGS－VT） V-I 特性： 16 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （2）转移特性 17 （二）工作原理 （1）增强型 MOS 场效管 上一页 下一页 返 回 下一节 上一节 导电沟道的形成 17 18 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1. 结构和工作原理（N沟道） 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流 19 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 2. V-I 特性曲线及大信号特性方程 20 5.1.3 P沟道MOSFET 21 （2）耗尽型 MOS 场效管 上一页 下一页 返 回 下一节 上一节 21 22 （三）特性曲线 上一页 下一页 返 回 下一节 上一节 22 23 （四）四 种 MOS 场效管的简介 上一页 下一页 返 回 下一节 上一节 23 24 5.1.4 沟道长度调制效应 实际上饱和区的曲线并不是平坦的 L的单位为m 当不考虑沟道调制效应时，＝0，曲线是平坦的。 修正后 25 5.1.5 MOSFET的主要参数 一、直流参数 NMOS增强型 1. 开启电压VT （增强型参数） 2. 夹断电压VP （耗尽型参数） 3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数） 4. 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ） 二、交流参数 1. 输出电阻rds 当不考虑沟道调制效应时，＝0，rds→∞ 26 5.1.5 MOSFET的主要参数 2. 低频互导gm 二、交流参数 27 5.1.5 MOSFET的主要参数 三、极限参数 1. 最大漏极电流IDM 2. 最大耗散功率PDM 3. 最大漏源电压V（BR）DS 4. 最大栅源电压V（BR）GS PDM :管子正常工作时