13-2硅太阳电池的设计3.ppt

第八章 硅太阳电池的设计 § 8.5 顶层的限制 § 8.5 顶层的限制 8.5.1 死层 在电池上表面，高的有效复合速度导致一个最佳的设计：使电池上部扩散层的厚度在能获得适当的薄层电阻的情况下尽可能的薄。 早期，典型的结深大约为 0.5 um。 为了保持低的薄层电阻，必须尽可能多的磷掺杂剂扩散进这个厚度里。 产生一些不希望的副作用。 § 8.5 顶层的限制 8.5.1 死层 在太阳电池上中，过量磷的区域总是在接近电池表面的地方，这就可能在靠近表面处产生一个“死层”，在这里少数载流子的寿命非常短，光生载流子被收集的机会非常少。 § 8.5 顶层的限制 8.5.1 死层 当人们清楚地认识到这个问题后，在电池设计上做了重大的改进。为了清除死层，使用很浅的结，约0.2um，同时表面磷的浓度保持在固溶度之下。 这样就增加了顶层薄层电阻，因此必须使用密得多的上电极栅线。 § 8.5 顶层的限制 § 8.5 顶层的限制 8.5.3 对反向饱和电流密度的影响 对于用扩散法制作的硅电池，顶层对反向饱和电流密度的最小贡献在1-3 x 10-12 A/cm2范围内。 不管怎样选择基体的特性，以便使它对饱和电流密度的影响最小，顶层的影响都会对硅电池所能得到的最大开路电压限定一个上限：600 – 630 mV。 它使基体材料的光伏潜力不能得到充分利用。 § 8.6 上电极的设计 电池设计的一个重要方面是上电极金属栅线的设计。当电池的尺寸增加时，这方面就变的更加重要。 几种与上电极有关的功率损失机理： 横向电流引起的功率损耗； 金属线的串联电阻、金属半导体间接触电阻引起的损耗； 金属栅线遮挡阳光引起的屏蔽损失。 § 8.6 上电极的设计 电池设计的一个重要方面是上电极金属栅线的设计。当电池的尺寸增加时，这方面就变的更加重要。 几种与上电极有关的功率损失机理： 横向电流引起的功率损耗； 金属线的串联电阻、金属半导体间接触电阻引起的损耗； 金属栅线遮挡阳光引起的屏蔽损失。 § 8.6 上电极的设计 对于金属电极有两部分构成：主线是直接接到电池外部引线的较粗部分；栅线则是为了把电流收集起来传递到主线去的较细部分。 某些电池的设计中可能有不止一级的栅线。 栅线和主线既有等宽的，也有线性地逐渐变细和宽度呈接替形变化的。 复杂的电池可以分解为简单的一个个单电池。 § 8.6 上电极的设计 用电池的最大输出功率归一化的栅线和主线的电阻功率损耗分别为： 如果电极各部分是线性逐渐变细的，m=4； 如果宽度是均匀的，m=3；WF和WB是上栅线和主线的平均宽度。 § 8.6 上电极的设计 由于栅线和主线的遮挡而引起的归一化的功率损耗分别为： § 8.6 上电极的设计 忽略直接有半导体到主线的电流，接触电阻损耗仅仅是由于栅线所引起。这部分功率损耗一般近似为： 顶层横向电流引起的功率损耗为： § 8.6 上电极的设计 主线的最佳尺寸可以通过下式对 WB 求导而求出。 § 8.6 上电极的设计 栅线的设计更为复杂，可通过简单的迭代法实现最佳栅线的设计。 把栅线宽度取作某一工艺水平限制的最小值，用渐进法求出对应这个最小值的S的最佳值。 谢谢！ 2008.2.27 *