电子封装技术第3章教材教学课件.ppt

3.4.2 TAB技术的优点 （1）结构轻、薄、短、小，封装高度不足1mm。 （2）电极尺寸、电极与焊区节距均比WB大为减小。 （3）相应可容纳更高的I/O引脚数，提高了TAB的安装密度。 （4）TAB的引线电阻、电容和电感均比WB小得多，这使TAB互连的LSI、VLSI能够具有更优良的高速、高频电性能。 （5）可对各类IC芯片进行筛选和测试，确保器件是优质芯片，可大大提高电子组装成品率，从而降低电子产品的成本。 Cu箔单层带无法测试，因为载带所有区域均导电。 （6）采用Cu箔引线，导热和导电性能好，机械强度高。 （7）TAB的键合拉力比WB高3-10倍（0.3-0.5N/点），从而可提高芯片互连的可靠性。 （8）TAB使用标准化的卷轴长带，对芯片实行自动化多点一次焊接；同时，安装及外引线焊接可以实现自动化，可进行工业化规模生产，从而提高电子产品的生效率，降低产品成本。 3.4.3 TAB的分类 TAB按其结构和形状可分为Cu箔单层带、Cu-PI(聚酰亚胺)双层带、Cu-粘接剂-PI三层带和Cu-PI-Cu双金属带等四种。 注：以作用进行分类，载带包含三部分，即承载用的PI（对于Cu单层载带，承载用的材料也为Cu）、与芯片进行电路连接的Cu箔引线图形以及焊接用的凸点（仅限于凸点电镀在载带内引线即凸点载带自动焊的情况，有时凸点电镀于芯片焊区上）。 （凸点） 类别 特点 TAB单层带 成本低，制作工艺简单，耐热性能好，不能筛选和测试芯片 TAB双层带 可弯曲，成本较低，设计自由灵活，可制作高精度图形，能筛选和测试芯片 TAB三层带 Cu箔与PI粘结性好，可制作高精度图形，可卷绕，适于批量生产，能筛选和测试芯片，制作工艺较复杂，成本较高 TAB双金属带 用于高频器件，可改善信号特性 TAB的分类及特点 TAB大量使用的载带宽度为35mm和70mm，除此之外，还有48mm、16mm、8mm和158mm等多种规格。载带宽度越小，I/O数越少，即IC规模越小。 载带标准从略 3.4.4 TAB技术的关键材料和关键技术 TAB技术的关键材料包括基带材料（载带材料）、Cu箔引线材料和芯片凸点金属材料几部分。 关键材料 1. 基带材料 基带材料要求高温性能好．与Cu箔的粘接性好，耐温高．热匹配性好，收缩率小且尺寸稳定，抗化学腐蚀性强，机械强度高，吸水率低等。从综合性能来看，聚酰亚胺(PI)基本都能满足这些要求，所以是公认的使用广泛的基带材料。除PI之外，基带材料还有聚乙烯对苯二甲酸酯（PET）和苯并环丁烯（BCB） 2. TAB的金属材料 制作TAB引线图形的金属材料一般采用Cu箔（少数使用Al箔），因为Cu的导电、导热性能好，强度高，延展性和表面平滑性好，与各种基带粘接牢固，易于用光刻法制作精细复杂的引线图形，且易于电镀Au等焊接金属。 3. 芯片凸点的金属材料 在芯片的焊区上先制作Au凸点，然后与Cu箔引线进行焊接，芯片焊区金属通常为Al膜，为防止Au凸点与Al相互扩散，形成有害的金属间化合物，在凸点内侧要沉积一层阻挡层金属（W、Mo、Pt、Pd钯、Cu-Ni、Ni、Cu、Cr等），为 使Al膜和阻挡层粘附牢固，要在二者之间沉积一层粘附层金属（Ti、TiN、Cr或Ni）（粘附层和扩散阻挡层均导电，不影响电路导通）；也可以将凸点制作在TAB的Cu箔引线上，芯片只做多层金属化．或者芯片上仍是Al焊区。这种TAB结构又称为凸点载带自动焊(BTAB)。 粘附层Ti 阻挡层W Al层 凸点Au TAB的关键技术主要包括三个部分：芯片凸点的制作技术；TAB载带的制作技术；载带引线与芯片凸点的内引线焊接技术和载带外引线的焊接技术。 关键技术 3.4.5 TAB芯片凸点的设计制作要点 TAB的引线图形（Cu箔图形）与芯片上凸点的连接焊区是周边形的，焊区和凸点的周边布局尽量均匀和对称。 TAB的凸点形状一般为蘑菇状和柱状。蘑菇状凸点是用光刻胶作掩膜制作，由于光刻胶较薄，需要电镀增高凸点，而电镀增高时，凸点会横向发展，凸点高度越高，横向发展越大。横向发展时电流密度不均匀，使得凸点顶面呈凹形，尺寸也难以控制；而柱状凸点使用厚膜抗蚀剂作掩膜，掩膜厚度与要求的凸点高度相同，不需要电镀增高，因此电流密度均匀，凸点顶面是平的。 对于相同的凸点高度和凸点顶面面积，柱状凸点要比蘑菇状凸点的底面金属接触面积大，强度更高，即当底面金属接触面积与凸点高度相同时，蘑菇状凸点要比柱状凸点占据空间大得多。因此，蘑菇状凸点更易于发生短路。 无论是哪种凸点，都要考虑凸点压焊变形后向四周扩展的距离，留有余地。压