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术语和特性
第2章 术语和特性
1. 术语说明 2-2
2. 车载IGBT的模块冷却性能 2-5
MT5F35464 © Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 2-1
本章对车载IGBT模块的相关术语和特性进行说明。
1.术语说明
以下是规格书等中使用的各种术语的说明。
表2-1最大额定值
术语 符号 定义（相关条件请参考规格书）
集电极-发射极间电压 在栅极-发射极间短路的状态下，可在集电极-发射极间施
V
(Collector-emitter voltage) CES 加的最大电压
栅极-发射极间电压 在集电极-发射极间短路的状态下，可在栅极-发射极间施
V
(Gate-emitter voltage) GES 加的最大电压
ICN 额定电流
I
Cnom
集电极电极允许的最大直流电流
集电极电流
I
(Collector current) C
-I
Cnom
内置二极管允许的最大直流正向电流
-I
C
最大损耗
PC 每个元件的IGBT允许的最大电力损耗
(Maximum power dissipation)
结温 可在不引起元件异常的情况下动作的最高芯片温度
T
(Junction temperature) j （设计时需确保即使装置在最差状态下也不会超过该值）
连续动作时的结温
T 允许元件连续动作的结温
(Operation junction temperature) j(op)
壳体温度
T IGBT的壳体温度
(Case temperature) C
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