晶体三极管特性教材教学课件.pptVIP

二极管开关的通断是受两端电压极性控制。;饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的 数值较小，一般vCE＜0.7 V(硅管)。此时 发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。;饱和区;三极管工作在饱和区。;三极管饱和特点：; 三极管工作在截止区，IB=0曲线以下。;三极管PN结四种偏置方式组合; 根据VCC和RC值，在输出特性曲线上画一条负载线。;用基区电荷分布图说明; IB≥IBS 时，发射结发射有余，集电极收集不足。过剩电子在基区积累，如 4→5。这段时间就是存储时间 t s ;电子浓度;结论：; R1、R2、外加负偏压－VBB及Vi 共同决定三极管工作状态，保证三极管在开关方波的作用下可靠工作于饱和、截止两种状态。;即：;CO;反相器负载有两种情况：;三极管饱和时： ;三极管截至时： ;三极管饱和时：;三极管截至时： ;1、 当β＝30,T能否可靠饱和或截止？;R1;R1;2、在输入为高电平时，保证T可靠饱 和，β值最小等于多少？;3、在输入为低电平时，保证可 T 靠截止，VBB值最小等于多少？