第四章-离子镀.ppt

第四章 离 子 镀 膜 主要内容 离子镀原理 离子镀的特点 离子轰击 离子镀的类型 离子镀膜技术(简称离子镀)是美国Sandia公司的D. M. Mattox于1963年首无提出来的，是在真空蒸发和真空溅射技术基础上发展起来的一种新的镀膜技术。 离子镀的英文全称ion plating，简称IP。它是在真空条件下，应用气体放电实现镀膜，即在真空室中使气体或被蒸发物质电离，在气体离子或被蒸发物质离子的轰击下，同时将蒸发物或其反应产物蒸镀在基片上。 离子镀把辉光放电、等离子体技术与真空蒸发技术结合在一起，不但显著提高了淀积薄膜的各种性能，而且大大扩展了镀膜技术的应用范围。 与蒸发镀膜和溅射镀膜相比较，除具有二者的特点外，还特别具有膜层的附着力强、绕射性好、可镀材料广泛等一系列优点，因此受到人们的重视。 §4-1离子镀的原理 离子镀的成膜条件 根据实验结果，若辉光放电空间只有金属蒸发物质时， 金属的离化率只有0.1-1 %。 但是，由于产生了大量高能中性原子，故提高了蒸发粒子的总能量。 §4-2离子镀的特点（与蒸发和溅射相比） （1）膜层附着性能好。 因为在离子镀过程中，利用辉光放电所产生的大量高能粒子对基片表面产生阴极溅射效应，对基片表面吸附的气体和污物进行溅射清洗，使基片表面净化，面且伴随镀膜过程这种净化清洗随时进行，直至整个镀膜过程完成，这是离子镀获得良好附着力的重要原因之一。 另一方面，离子镀过程中溅射与淀积两种现象并存，在镀膜初期，可在膜基界面形成组分过渡层或膜材与基材的成分混合层，Mattox称之为“伪扩散层”，能有效改善膜层的附着性能。 （2）膜层的密度高（通常与大块材料密度相同）。 离子镀过程中，膜材离子和高能中性原子带有较高的能量到达基片，可以在基片上扩散、迁移。 膜材原子在空间飞行过程中即使形成了蒸气团，到达基片时也能被离子轰击碎化，形成细小的核心，生长为细密的等轴结晶。在此过程中，高能氩离子对改善膜层的结构，并使之形成接近块材的密度值，发挥了重要作用。 也可以说，膜层质量高，主要是由于淀积膜层不断受到正离子轰击，从而引起冷凝物发生溅射，使膜层致密，针孔和空气孔大大减少的缘故。 （3）绕射性能好。 离子镀过程中，部分膜材原于被离化成正离子后，它们将沿着电场的电力线方运动，凡是电力线分布之处，膜材离子都能到达。 在离子镀中由于工件为阴极，且带负高压，因此，工件的各个表面(包括孔、槽、面向蒸发源或背向蒸发源的表面)都处于电场之中。这样，膜材的离子就能到达工件的所有表面。 另外，由于膜材在压强较高情况下(1Pa)被电离，气体分子的平均自由程比源基之间距离小，所以蒸气的离子或分子在它到达基片的路程中将与惰性气体分子、电子及其他蒸气原子之间发生多次碰撞，产生非定向的气体散射效应，使膜材粒子散射在整个工件的周围。 由于上述原因，离子镀可以在基片的所有表面上淀积薄膜。这是真空蒸发所无法比拟的。 （4）可镀材质范围广泛。 可在金属或非金属表面上镀金属或非金属材料。如塑料、石英、陶瓷和橡胶等材料，以及各种金属、合金和某些合成材料、敏感材料、高熔点材料等。 （5）有利于化合物膜层的形成。 在离子镀技术中，在蒸发金属的同时，向真空室通入某 些反应性气体，则可反应生成化合物。由于辉光放电低温等离子体中高能电子的作用，将电能变成了金属粒子的反应活化能，所以可在较低温度下形成在高温下靠热激发才能形成的化合物。 （6）淀积速率高，成膜速度快，可镀较厚的膜。 通常，离子镀淀积几十纳米至数微米厚膜层时，其速度较其他镀膜方法快。试验表明:离子镀钛每小时约为0.23mm ，镀不锈钢每小时约为0.3mm。 §4-3离子轰击的作用 离化率 溅射清洗 粒子轰击对薄膜生长的影响 离化率 离化率是指被电离的原子数占全部蒸发原子数的百分比例。是衡量离子镀特性的一个重要指标。特别在反应离子镀中更为重要，因为它是衡量活化程度的主要参数。被蒸发原子和反应气体的离化程度对薄膜的各种性质都能产生直接影响。 溅射清洗 在薄膜淀积之前的离子轰击对基片表面的效应如下: （1）溅射清洗作用。 此作用可有效地清除基片表面所吸附的气体、各种污染物和氧化物。如入射离子能量高、活性大，还可与基片物质发生化学反应乃至发生化学溅射。 （2）产生缺陷和位错网。 若入射粒子传递给靶材原子的能量超过靶原子发生离位的最低能量(约为25eV)时，晶格原子将会离位并迁移到晶格的间隙位