一次离子源样本.PPT

二次離子質譜儀的原理 賴致文(MA0L0115) 一次離子源 樣本 二 次 離 子 真空表面 固體 晶格破壞原子混合 離子植入 植入離子 一次離子 滲透深度 橫向範圍 指被撞離原始位置的樣品內部原子，若具有足夠能量，也能啟動類似的連串碰撞動作的這些原子。 1.一次離子之能量 2.入射角 3.和樣品的材質 由上圖的改質現象，在入射的一次離子與樣品內部的原子發生 一連串的碰撞，會連續發生，直到一次離子之能量散失殆盡， 最後就停留在樣品內部深處 而這個深度取決 (叁)深度取決 (壹)真空 (貳)反跳原子(Recoil atom) SIMS的需要高真空壓力低於 帕斯卡。 為了確保二次離子產生的路徑上不會與殘留的氣體發生碰撞而且還可以防止表面污染在測量過程中的殘留的氣體粒子的吸附。 SIMS離子槍 ? 雙電漿離子 (duoplasmatron ion gun) ? 液態金屬離子槍 (liquid Metal ion gun) ? 表面游離離子槍 (surface ionization ion gun) 離子鎗之製造必須使用低揮發性之材質，且能夠忍受真空腔體烘烤之溫度。 液態金屬離子槍(liquid Metal ion gun) 利用經過離子透鏡的聚歛後，可以形成束徑小(500nm)，電流密度高的離子束，適合進行微小區域、高濺蝕率了SIMS分 析。 雙電漿離子槍(duoplasmatron ion gun) 一種可以產生高電流的離子源，具有很高的離子亮度，並有較小的離子能量分佈寬度，適合執行需要被較快濺射速率的二次離子縱深分析。 表面游離離子槍(surface ionization ion gun) 利用吸附於高溫金屬表面之原子的價電子能帶與金屬導電能帶之間的電子交換，吸附原子在失去電子或奪得電子後，以離子態的形式脫離金屬表面。 一次離子源常用的有四種: ? Ar+離子: 優點:不會和物質表面產生化學反應，造成分析的困擾。 缺點:二次的離子率(ion yields)低，使得分析的靈敏度降低。 ? 一次離子源(Primary Ion Beam) 離子源所使用之氣體必須是高純度研究級氣體，固態或液態金屬源之純度亦有嚴格限制，以降低雜質之污染程度。 (3)O2+離子: 優點:增強二次陽離子的離子產率，使得陽離子靈敏度大為提高。 ? (4)Ga+離子: 優點:離子束聚焦到很小的區域，對做影像非常有幫助 缺點:靈敏度低 (2)Cs+離子: 優點:增強二次陰離子的離子產率，使得陰離子靈敏度大為提高。 二次離子產量 受一次離子的影響 1如果一次離子是氧原子會使得二次離子增加正離子的產量。 2如果一次離子是銫原子會使得二次離子增加負離子的產量。 何謂二次離子? 指一次離子將表面原子、離子濺射出來，分析離子質量而獲得質譜，因此被濺射出來的離子是來自試片表面，而非入射離子，故謂之二次離子。 另外可用質量分析器分析二次離子的質量和電荷的比值(m/e)，從而判斷試片表面元素組成。 二 次 離 子 。 二次離子質譜儀的操作原理 基於前述的根本原理，以高能量的一次離子束撞擊固態樣品的表面，藉著一次 離子所傳遞的能量，在樣品表面單一(或數)原子層的物質會被濺射出，而產生 光子、電子、原子(含激發態)、分子(含激發態)和二次離子，這些離子產物在 經過能量分析儀和質譜分析儀後 在經偵測器上可分析其資料 在偵測器上所測得的信號 可經由分析提供樣品哪些資料 (1)在表面層的組成資料(即靜態二次離子質譜術) (2)在三度空間上的組成分佈(即三維二次離子質譜術) (3)在縱深方向的組成分佈(即動態二次離子質譜術) (4)在平面上的組成分佈(即影像二次離子質譜術)。 二次離子質譜儀是屬於破壞性的分析方法，樣品只有接受一次分析的機會，故對來源不易的樣品需特別小心分析。 除此之外，分析薄膜時，可以分析的樣品更是微量。因此，如何最有效地利用既有樣品，即減少單位時間內樣品的消耗率，是做破壞性分析必須考慮的重要課題。 同時，分析時間的長短更是實際分析上必須考量的因素，尤其是當樣品的數目很多時，或是樣品在樣品室裡只有一定時間的穩定度時，分析時間愈短的方法愈理想。  優點 很好的縱深分析，縱深的解析度可達~5O?。 並且提供快速的分析。在定量方面準確度(accuracy)高。 同時可測多種元素，使得偵測不同化學組 成薄膜的縱深分析非常容易。 缺點 ? 這項技術對材料有破壞性，使用後不能在同一個地區再做。 二次離子質譜儀的優缺點 ? A質譜儀收集所有離子之結果，利用兩種顏色表示質譜中 選擇之二峰結果，B紅色部份