板桥整流.docVIP

摘要 电力电子技术课程设计是在教学及实验基础上，对课程所学理论知识的深化和提高。0到180伏之间连续可调，由于是半控电路，因此会用到晶闸管与电力二极管。此外，还要用MATLAB对设计的电路进行建模并仿真，得到电压与电流波形，对结果进行分析。 关键词：半控 整流 晶闸管 目录 1 设计内容及要求 1 2 电路的设计及工作原理 2 3 元器件的选择 4 3.1 晶闸管 4 3.1.1 晶闸管的结构与工作原理 4 3.1.2 晶闸管的选择 5 3.2 电力二极管 6 4 触发电路 8 5 MATLAB建模与仿真 9 6 心得体会 12 参考文献 13  单相桥式半控整流电路的设计 1 设计内容及要求 本次课程设计要求设计一个单相桥式半控整流电路，对电阻负载供电，其中R=10Ω，要求直流输出电压在0～180伏连续可调。设计成功后，用MATLAB对所设计的电路进行建模并仿真，获得相应的电压与电流波形，根据波形分析设计方法的可行性。 2 电路的设计及工作原理 单相相控整流电路可分为单相半波、单相全波和单相桥式相控流电路，它们所连接的负载性质不同就会有不同的特点。带电阻性负载、电感性负载和反电动势负载时的工作情况。 图2.1 单相桥式半控整流电路带电阻负载 在单向桥式半控整流电路中，VT1和VD4组成一对桥臂，VD2和VT3组成另一对桥臂。在u正半周（即a点电位高于b点电位），若4个管子均不导通，负载电流id为零，ud也为零，VT1、VD4串联承受电压u，设VT1和VD4的漏电阻相等，则各承受u的一半。若在触发角处给VT1加触发脉冲，VT1和VD4即导通，电流从电源a端经VT1、R、VD4流回电源b端。当u过零时，流经晶闸管的电流也降到零，VT1和VD4关断。 在u负半周，仍在触发延迟角处触发VD2和VT3，VD2和VT3导通，电流从电源b端流出，经VT3、R、VD2流回电源a端。到u过零时，电流又降为零，VD2和VT3关断。此后又是VT1和VD4导通，如此循环地工作下去。晶闸管承受的最大正向电压和反向电压分别为U和U。 由于在交流电源的正负半周都有整流输出电流流过负载，故该电路为全波整流。在u一个周期内，整流电压波形脉动2次，脉动次数多于半波整流电路，该电路属于双脉波整流电路。 整流电压平均值为 =0时，Ud=Ud0=0.9U；=1800时，Ud=0。可见，角的移相范围为1800。 向负载输出的直流电流平均值为 管子VT1、VD4和VD2、VT3轮流导电，流过管子的电流平均值只有输出直流电流平均值的一半，即 流过晶闸管的电流有效值为 3 元器件的选择 3.1 晶闸管 晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又称作可控硅整流（SCR），开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。自20世纪80年代以来，晶闸管开始被性能更好的全控型器件取代。晶闸管能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，以被广泛应用于相控整流、逆变、交流调压、直流变换等领域，成为功率低频（200Hz以下）装置中的主要器件。晶闸管往往专指晶闸管的一种基本类型--普通晶闸管。广义上讲，晶闸管还包括其许多类型的派生器件。 3.1.1 晶闸管的结构与工作原理 1）晶闸管的外形与结构 图2-2所示为晶闸管的外形、结构、电器图形符号和模块外形。从外形上来看，晶闸管也主要有螺栓型和平板型两种封装结构，均引出阳极A、阴极K和门极G三个连接端。 晶闸管内部是PNPN四层半导体结构，分别命名为P1、N1、P2、N2四个区。P1区引出阳极A，N2区引出阴极K，P2区引出门极G。四个区形成J1、J2、J3三个PN结。如果正向电压加到器件上，则J2处于反向偏置状态，器件A、K两端之间处于阻断状态，只能流过很小的漏电流；如果反向电压加到器件上，则J1和J3反偏，该器件也处于阻断状态，仅有极小的反向漏电流通过。 2）晶闸管的工作原理 晶闸管导通的工作原理可以用双晶体管模型来解释，如图2-3所示。如在器件上取一倾斜的截面，则晶闸管可以看作由P1N1P2和N1P2N2构成的两个晶体管V1、V2组合而成。如果外电路向门极注入电流IG，也就是注入驱动电流，则IG流入晶体管V2的基极。即产生集电极电流Ic2，它构成晶体管V1的基极电流，放大成集电极电流Ic1，又进一步增大V2的基极电流，如此形成强烈的正反馈，最后V1和V2进入完全饱和状态，即晶闸管导通。此时如果撤掉外电路注入门极的电流IG，晶闸管由于内部已形成了强烈的正反馈会仍然维持导通状态。而若要使晶闸管关断，必须去掉阳极所加的正向电压，或者给阳极施加反压，或者设法使流过晶闸管的电流降低到接近于零的某一数值以下，晶闸管才能关断。所以，对晶闸管的驱动过程更多的是成为触发，产生注入门极的触发电流IG的电路称为门极