2009年第一季度光电子领域新授权发明专利精选.doc

第一季度光电子信息 REC 申请号=CN200710020037.0 名称=紧凑型1×N光功率分路器 主分类号=G02B6/28(2006.01)I 分类号=G02B6/28(2006.01)I;G02B6/125(2006.01)I;H04B10/12(2006.01)I 申请（专利权）人=东南大学 发明（设计）人=孙小菡;于 兵 公开（公告）日=2009.01.07 公开（公告）号=CN100449342 专利代理机构=南京经纬专利商标代理有限公司 代理人=陆志斌 申请日=2007.02.08 地址=210096江苏省南京市四牌楼2号 摘要=本发明属于集成光电子技术领域，提供一种能够在较低损耗的情况下减小整 个器件的尺寸并能够实现匀衡输出功率的紧凑型1×N光功率分路器。这种紧凑 型1×N光功率分路器，包括：N个T型分路器(1)，N为大于或等于2的自然 数，作为前一级T型分路器的输出端分别与作为后一级T型分路器的输入端连 接，其特征在于T型分路器(1)包括多模干涉型波导(6)，在多模干涉型波导 (6)的一端设有作为T型分路器输入端的单模入射波导(3)，在多模干涉型波 导(6)的输出端波导上设有V型槽(5)并以由V型槽(5)分隔的两段输出波 导作为T型分路器的2个输出端，在多模干涉型波导(6)上设有光功率调制模 块(4)。 国省代码=江苏;32 REC 申请号=CN200510126238.X 名称=闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法 主分类号=C30B25/00(2006.01)I 分类号=C30B25/00(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I 申请（专利权）人=中国科学院半导体研究所 发明（设计）人=赵有文;董志远;段满龙;魏学成 公开（公告）日=2009.01.14 公开（公告）号=CN100451180 专利代理机构=中科专利商标代理有限责任公司 代理人=段成云 申请日=2005.11.30 地址=100083北京市海淀区清华东路甲35号 摘要=本发明涉及微电子和光电子用化合物半导体材料制备技术领 域，特别是一种闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法。在封闭的石英 管内，一端放置高纯ZnO粉作为源，另一端放置籽晶，通过控制源区与 生长区的温度分布实现气相传输，生长ZnO体单晶，在生长过程中放入 少量的高纯碳。选用一端为平面封口的圆形石英管作外管，再选用一根 外径与籽晶片直径相同的石英管称为内管，用来顶住籽晶片，使其固定 在石英管的平面端，ZnO粉放置在内管的另一端，同时放入少量的高纯 碳粉，然后外管接真空系统，抽真空后用石英封泡封闭，将封好口的石 英管放入水平加热炉内升温加热，控制温度分布进行ZnO单晶生长。 国省代码=北京;11 REC 申请号=CN200610019601.2 名称=和共面波导集成的侧面进光的10Gb/s APD管芯及其制作工艺 主分类号=H01L31/107(2006.01)I 分类号=H01L31/107(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 申请（专利权）人=武汉电信器件有限公司 发明（设计）人=丁国庆 公开（公告）日=2009.01.14 公开（公告）号=CN100452445 专利代理机构=武汉宇晨专利事务所 代理人=黄瑞棠 申请日=2006.07.11 地址=430074湖北省武汉市洪山区邮科院路88号 摘要=本发明公开了一种和共面波导集成的侧面进光的10Gb/s APD管芯及其制作 工艺，涉及一种和共面波导集成的侧面进光的10Gb/s APD，尤其涉及一种二台 阶连体式管芯的结构及其制作工艺。本管芯整体结构为一种和共面波导集成的、 二台阶连体式管芯，从下到上，InP掺铁的半绝缘衬底、下台阶和上台阶依次连 接；本管芯制作工艺包括MOCVD外延，PECVD，光刻与化学腐蚀，化学清洗，扩 散，反应离子刻蚀，电子束蒸发，金属剥离，钝化处理，管芯分离；制作工艺最 重要的是化学腐蚀和管芯分离。本管芯是高速率、长距离光通信系统的关键光电 子器件；管芯和共面波导一体化设计与制作，不仅简化了工艺，降低了成本，而 且减少了传输损耗，容易阻抗匹配；本发明解决了侧面进光面的平整性问题。 国省代码=湖北;42 REC 申请号=CN200510116481.3 名称=辐射芯片 主分类号=H01L33/00(2006.01)I 分类号=H01L33/00(2006.01)I 申请（专利权）人=奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发明（设计）人=J·保尔;D·埃泽尔特;M·费雷尔;B·哈恩;V·海勒;U·雅各布;R·奥伯施米德;W·普拉斯;U·施特劳斯;J·维克尔;U·策恩德 公开（公告）日=2009.01.14 公开（公告）号=CN100452453 专利代理机构=中国