脉冲激光沉积系统（ＰＬＤ）的应用制备ＧａＮ薄膜.docVIP

脉冲激光沉积系统（ＰＬＤ）的应用制备ＧａＮ薄膜 　　摘 要：采用脉冲激光沉积技术，在Al2O3衬底上生长GaN薄膜，利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）研究不同沉积温度、不同沉积压强对所生长的GaN薄膜晶体结构特征的影响。研究表明，在750 ℃的沉积温度时，GaN薄膜的结晶质量较高；在20 Pa以下的沉积气压下，GaN薄膜的晶体质量随着沉积气压的升高而提高。 　　关键词：脉冲激光沉积系统；GaN材料；薄膜材料；沉积温度；沉积气压 　　中图分类号：TN40文献标识码：B 　　文章编号：1004373X(2008)2201203 　　 　　Application of Pulsed Laser Deposition PLD System:Making GaN Thin Film 　　LI Xiaolan,XUE Qin,WANG Jianqiu 　　(Jiangxi Optic-electronic Communication Key Lab,College of Physics ＆ Communication Electronics,Jiangxi Normal University,Nanchang,330027,China) 　　Abstract：By a Pulsed Laser Deposition(PLD),GaN films have grown on Al2O3 substrates.The influence of different substrate temperature and different deposition pressure on the crystallinity of GaN films are systematically studied by X-ray Diffraction(XRD),Atomic Force Microscope(AFM).It is found that the high-quality hexagonal wurtzite structures using a substrate temperature of 750 ℃,and the crystalline quality of the GaN films is improved with increasing deposition pressure to 20Pa. 　　Keywords：PLD system;GaN material;thin film;substrate temperature;deposition pressure 　　 　　随着微电子行业的发展，对材料的要求越来越复杂，越来越高，人们开始关注材料的微观结构和宏观特性的关系，原子工程学已成为研究热点。当薄膜沉积技术达到原子级精度时，就提供了研究材料特性的一种重要方法。脉冲激光沉积技术已经成为了制作这种独特材料的重要方法［1］。 　　PLD（脉冲激光沉积技术）已经广泛应用于制备各种材料的晶体薄膜［2］。本文以江西省光电子与通信重点实验室利用PLD技术制备的GaN薄膜材料为例，分析沉积气压、沉积温度等工艺条件，对GaN薄膜性能的影响。 　　 　　1 基本理论 　　 　　GaN作为一种化合物半导体材料，具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。它可以发射波长比红光更短的蓝光［3］，具有宽的带隙、强的原子键、高的热导率、强的抗辐照能力、化学稳定性好，是坚硬的高熔点材料，其晶体一般是六方纤锌矿结构。因此GaN在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景［4］。 　　脉冲激光沉积是指用激光使材料挥发，从而将材料镀在所要求的物体（衬底）上的薄膜沉积技术［5］。通常使用的是一种准分子激光，在紫外的范围内，产生强烈的脉冲（频率为0~100 Hz）光束。典型的波长是193 nm(ArF气体准分子激光)、248 nm（KrF气体准分子激光)、308 nm（XeCI气体准分子激光)等。脉冲激光沉积的物理过程是极其复杂的，它涉及高功率脉冲辐射冲击固体靶时激光与物体之间的所有物理相互作用，还包括等离子羽辉的形成，其后已溶化的物质通过等离子羽辉到达已加热的基片表面的转移，及最后膜生成的过程。 　　激光脉冲参数的选择和对象材料的特性均影响沉积的效果，脉冲激光沉积（PLD）一般可以分为4个阶段：激光辐射与靶的相互作用；溶化物质的动能；溶化物质在基片的沉积；薄膜在基片表面的生成［6］。 　　在第一阶段，激光束通过真空室的光学窗聚集在靶的表面，达到足够的高能量通量与短脉冲宽度时，靶表面一切元素会快速受热，达到蒸发温度，此时物质从靶材中分离出来，蒸发出来的物质