低功耗低频高精度RC振荡器设计-应用文.doc

第三届“九同方”杯 大学生集成电路设计大赛 报告华中科技大学暑期报告 A Low Power 48MHz Oscillator using XMC 55lp Process （本科生） 队 名： 学 号： 专 业： 目录 1.题目要求 3 2.设计思路 3 2.1 引言 3 2.2各个原件的参数特性单仿 3 2.3 电路设计 4 2.3.1 环形振荡器模块设计 5 2.3.2 温度，电源补偿补偿模块 10 2.3.3差分转单端输出以及正弦波变方波电路 12 3.设计优化过程 14 4.波形说明与性能分析 20 4.1 输出电流，功耗分析 20 4.2 输出尾对尾结构 21 4.3 输出频率稳定性进行分析 21 4.3.1 输出频率随输入电压变化波动性 22 4.3.2 输出频率随温度变化波动 25 4.3.3 输出频率随工艺变化产生波动 27 4.4 起振时间分析 30 5.性能总结 31 6.心得体会 32 7 参考文献 33 8 附录 33 1.题目要求 Foundry: XMC Process: 55lp Supply Voltage: 1.08~1.32V Die Temperature: -20~85C Output swing: rail to rail Output frequency: 48MHz; typical, +-2% with trimming across process; (15%) +-6% across supply voltage and temperature (30%) Duty cycle: 50%+-10% (15%) Operation current: typical 120uA (20%) Disable current: typical 0.5uA (10%) Startup time: typical 5us (10%) 2.设计思路 振荡器广泛应用于医学、航空、通讯和电子等领域。尤其在集成锁相环中振荡器是必不可少的电路集成压控振荡器有几个重要的性能参数如低功耗、低相位噪声和小的版图面积。本文所提到的压控振荡器都是指集成压控振荡器对于振荡频率在48MHZ的振荡器。对于振荡频率在1GHZ以下的振荡器 , LC型压控振荡器版图面积过大、品质因子较低,并且便于采用标准工型压控振荡器版图面积过大、品质因子较低。而环形压控振荡器能够提供相对较高的相位噪声、宽泛的震荡频率范围、较小的版图面积和较低的功耗。本文采用武汉新芯标准nm工艺振荡器电路实现功能 2.2各个原件的参数特性 考虑的使用武汉新芯标准nm工艺因此需要管子单仿，单仿发现，在该工艺条件下，个器件的特性与此前接触的工艺下，并没有太大变化，可以仍然按照以前的方式进行使用，即不需要在电路设计中进行特别设计。为曲线图所示： 图 2.3 电路设计 为了实现低功耗，低驱动电压，高稳定性的要求。MOS 管的I-V 特性和双极型晶体管正向电压的负温度系数，产生补偿电压进而控制环形振荡器的振荡频率。同时利用线性稳压器对电压的波动进行抑制，使其具有良好的电压特性。因此本电路在设计环形振荡器时将振荡器模块，电压补偿模块，温度补偿模块，延时模块，实现电路的高效，高稳定性工作 具体的电路工作流程如图所示： 2 振荡器体系结构 原理分析如下: 图所示线性稳压器VBAT 转换成内核电压VDD，提供给电压补偿电路，VREF由线性稳压器提供。环形振荡器是产生波形的主体电路，由差分延时单元组成，其输出通过一个差分转单端的电路，将差分信号转换成适用于标准方波信号输出，其占空比为50%。补偿电路根据环境的变化，产生适当的VCTRL 电压，通过偏置电路来影响环形振荡器的振荡频率，使其保持在48MHz不变。 2.3.1 环形振荡器模块设计 。 为了保证可靠的起振，振荡器在开始起振时的环路增益T =AF 要大于 1，一般情况下取T =AF 的值为 5 到 10，于是依靠振荡器在接通电源的瞬间产生的电流突变以及电路内各种微弱的噪声通过振荡环路内的选频回路选频，循环的送入放大器放大和反馈而保证了幅度的不断增长，但是随后又必须限制其增长，使振荡器达到平衡T =AF =1。使振荡器的输出信号达到幅度平衡一般可分为外稳幅和内稳幅两种方法，由于内稳幅方法是利用晶体管本身固有的非线性来实现振荡平衡，其功耗和信号的非线性失真往往比较大，所以对于低功耗和低相位噪声的应用一般都是采用外稳幅方法，它是在电路设计上采取一些外界措施帮助振