第4章第3讲V-M可逆直流调速系统、弱磁控制的直流调速系统.ppt

2．逻辑控制的无环流可逆V-M系统 概述 有环流可逆系统虽然具有反向快、过渡平滑等优点，但设置几个环流电抗器终究是个累赘。 因此，当工艺过程对系统正反转的平滑过渡特性要求不很高时，特别是对于大容量的系统，常采用既没有直流平均环流又没有瞬时脉动环流的无环流控制可逆系统。 ? 控制原理 逻辑控制的无环流可逆系统 当一组晶闸管工作时，用逻辑电路（硬件）或逻辑算法（软件）去封锁另一组晶闸管的触发脉冲，使它完全处于阻断状态，以确保两组晶闸管不同时工作，从根本上切断了环流的通路，这就是逻辑控制的无环流可逆系统。 2．逻辑控制的无环流可逆V-M系统 无环流逻辑控制环节 （1）逻辑控制环节的设计要求 DLC的输入要求 正向运行和反向制动时，电动机转矩方向为正，即电流为正； 反向运行和正向制动时，电动机转矩方向为负，即电流为负。 因此，应选择转矩信号作为DLC的输入信号。 DLC的输出要求 正向运行：VF整流，开放VF，封锁VR； 反向制动：VF逆变，开放VF，封锁VR； 正向制动：VR逆变，开放VR，封锁VF； 反向运行：VR整流，开放VR，封锁VF； 因此，DLC的输出有两种状态： VF开放—Ublf=1，VR封锁—Ublr=0。 VR开放—Ublr=1，VF封锁—Ublf=0； 1) tdb1延时 —— 关断等待时间（封锁延时），以确认电流已经过零，而非因电流脉动引起的误信号； 2) tdt延时 —— 触发等待时间（开放延时），以确保被关断的晶闸管已恢复阻断能力，防止其重新导通。 （2）电路总体结构 在逻辑控制环节的两个输出信号ublf和ublr之间必须有互相联锁的保护，决不允许出现两组脉冲同时开放的状态。 现在的逻辑控制无环流可逆调速系统大多已经用微机数字控制实现。 （3）无环流逻辑控制环节的实现 采用数字控制时，电子开关的任务可以用条件选择程序来完成，实际系统都是逻辑选触系统。此外，触发装置可采用由定时器进行移相控制的数字触发器，或采用集成触发电路。 逻辑无环流系统的其他方案 逻辑选触无环流可逆系统 逻辑无环流系统的评价 优点 省去环流电抗器，没有附加的环流损耗； 节省变压器和晶闸管装置等设备的容量； 降低因换流失败而造成的事故。 缺点 由于延时造成了电流换向死区，影响过渡过程的快速性。 4.3 弱磁控制的直流调速系统 变电枢电压方法是从基速（即额定转速）向下调速。在变压调速范围内，因为励磁磁通不变，电磁转矩Te=KmΦId，允许的转矩也不会变，称作“恒转矩调速方式”。 降低励磁电流以减弱磁通是从基速向上调速。在弱磁调速范围内，转速越高，磁通越弱，容许的转矩不得不减少，转矩与转速的乘积则不变，即允许功率不变，是为“恒功率调速方式”。 当负载要求的调速范围大时，就采用变压和弱磁配合控制的办法，即在基速以下保持磁通为额定值不变，只调节电枢电压，而在基速以上则把电压保持为额定值，减弱磁通升速。 励磁电流的闭环控制 电枢电压控制系统仍采用常规的转速、电枢电流双闭环控制。 弱磁程度用励磁电流闭环控制，励磁电流调节器AFR一般采用PI调节器。 当电动机在额定转速以下变压调速时，励磁电流给定U*if=Uifn=βfifn，励磁电流环将励磁电流稳定在额定值，使气隙磁通等于额定磁通，与常规的转速、电流双闭环系统是完全一致的。 当提高Un，转速升到额定转速nN以上时，将根据感应电动势不变（E=EN）的原则，逐步减小励磁电流给定U*if，在励磁电流闭环控制作用下，励磁电流IfIfN，气隙磁通Φ小于额定磁通ΦN，电动机工作在弱磁状态，实现基速以上的调速。 当磁通为变量时，参数Ce和Cm都不能再看作常数，而应被KeΦ和KmΦ所取代， E=KeΦn (4-8) Te=KmΦId (4-9) 机电时间常数也不能再视作常数 (4-10) 即使忽略磁路的非线性，在磁通变化的过程中直流电动机也是一个非线性对象， 如果转速调节器ASR仍采用线性的PI调节器，将无法保证在整个弱磁调速范围内都得到优良的控制性能。 为了解决这个问题，原则上应使ASR具有可变参数，以适应磁通的变化。 采用微机数字控制系统，调节器的参数跟随磁通实时地变化，可以得到优良的控制性能。 * * 第4章 可逆控制和弱磁