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一种二阶曲率补偿的带隙电压基准 　　摘 要:设计一种二阶曲率补偿的带隙电压基准。基于一阶曲率补偿的基准电路,利用二极管正向导通附近电流??I??与电压??V??的非线性关系,将补偿电流注入PTAT电流来补偿??V??????be??的二阶项。运用0.35 μm工艺的器件模型Cadence工具下进行了仿真,在-50～+120 ℃温度范围内,一阶曲率补偿带隙电压基准的温度系数为16.6 ppm/℃,经过二阶曲率补偿的带隙电压基准的温度系数减小到约为3.07 ppm/℃,带隙电压基准的温度特性得到了很大改善。整个补偿电路使用器件少、占用面积小、实用性强。?? 　　关键词:带隙电压基准;二阶曲率补偿;温度系数;温度特性?? 　　中图分类号:TN43 　　 　　0 引 言?? 　　 　　随着便携式电子产品的高速发展,使得对低压低功耗的带隙基准源的需求大大增加。为了缩小电池尺寸和延长电池寿命,需要基准电压源电路工作在2 V以下的电压和μA量级的静态电流下,同时还要保证较高的电路性能,如低温漂、高电源抑制比等。?? 　　一般设计的一阶带隙基准源完全满足不了对高精度基准源的要求。要提高带隙基准电压源的精度,就必须对基准进行高阶补偿,国内外很多学者对带隙基准的高阶补偿进行了研究????[5[CD*2]7]??。基于一阶补偿带隙电压基准,针对温度系数性能进行了改进,设计一种结构非常简单的二阶带隙电压基准,使其温度系数得到了很大的提高。 　　 　　1 传统带隙电压基准?? 　　 　　1.1 ??V??????be??的温度特性?? 　　双极性晶体管的??V??????be??随温度的变化而变化,它的温度特性可表示为: 　　式中:??K??1表示温度为0 ??K??时??PN??结二极管电压;V???┆?be????(T??0)是温度为T??0时的发射结电压;T是绝对温度;k为波尔兹曼常数;T??0是参考温度;η是与工艺有关与温度无关的系数;α的值与集电极电流的温度特性有关,当集电极电流与温度成正比??(PTAT)??时,α=1;当集电极电流与温度无关的时候,?│?=0??。 ?? 　　由式(1)可知,V???┆?be????中与温度相关的非线性项为??T??ln?? T,???Ы?式(1)展开为泰勒级数可表示为: 　　由此可见,??V??????be??中的非线性项??T??ln ??T??在很大程度上影响了基准的精度,带隙电压基准补偿进行高阶补偿,就能提高带隙基准的精度。?? 　　 　　1.2 传统带隙电压基准原理的分析?? 　　图1所示为一种典型的传统带隙电压基准的发射极面积之比为1∶8,放大器的存在使得A,B两点电压近似相等,那么流过??R????1的电流即PTAT(Proportional to Absolute Temperature)电流为: 　　由PMOS管组成的电流镜结构使得各支路电流近似相等,输出的基准电压就为: 　　由于??V???┆?be3????具有负温度特性,V??T具有正的温度特性,因此,只要选择合适的R??1,R??2就能得到近似零温度系数的基准,通过计算可以得出R??2/R??1约为8.27。 　　 　　2 带隙电压基准的二阶曲率补偿?? 　　 　　[BT3]2.1 晶体二极管的伏安特性?? 　　由文献[9]可知,晶体二极管的伏安特性可表示为: 　　式中:??I????S为反向饱和电流,其值与PN结两边的参杂浓度有关。??V??T??称为热电压(Thermal Voltage),与温度??T??有关。室温即??T??=300 K时??V??T????26 mV。图2所示为晶体二极管的伏安特性,由图所示,在导通电压0.7 V附近,电流和电压可近似看成一种二阶指数关系。?? 　　 [BT3]2.2 二阶曲率补偿原理?? 　　传统的带隙电压基准只是对??V??????be??的一阶项进行补偿。因此这种补偿的精度较低,一般的传统带隙电压基准的温度系数为20～30 ppm/℃,要使带隙电压基准的精度提高就得对??V??????be??的高阶项进行补偿。如图3所示为一种简单的二阶曲率补偿的核心电路。该电路的特点是器件少,占用面积小,在传统带隙电压基准的基础上,只添加了一个电阻??R????3和一个二极管D。在补偿电路中,晶体二极管D两端电压被偏置在导通电压0.7 V左右。?? 　　由晶体二极管的温度特性可知,二极管两端电流随着温度的升高而略有增加,电阻??R????3两端电压略有上升,那么二极管两端电压??V????D相应降低。?? 　　由图2可知,在导通电压附近,电压细小变化将导致电流迅速降低,电流电压成近似二阶指数关系。?? 　　正是利用二极管的这种特性,当补偿