[工程科技]第九章 化学气相沉积技术.pptVIP

第八章 化学气相沉积技术 无机材料合成 主要内容 1、化学气相沉淀的定义、历史回顾、要求 2、化学气相沉积的过程及设备 3、化学气相沉淀的分类 4、化学气相沉淀的特点 5、化学气相沉淀的应用（激光、等离子体） 1）镀膜 2）制备纳米材料 1、基本介绍 气相沉积技术： 化学气相沉积法 (Chemical Vapor Deposition，CVD): 利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上反应生成固态沉积物的技术。 历史的简短回顾 古人类取暖或烧烤时熏在岩洞壁或岩石上的黑色碳层。 中国古代炼丹术中的“升炼”（最早的记载）。 20世纪50年代现代CVD技术用于刀具涂层（碳化钨为基材经 CVD氧化铝、碳化钛、氮化钛）。 20世纪60、70年代半导体和集成电路技术、超纯多晶硅。 1990年以来我国在激活低压CVD金刚石生长热力学方面,根据非平衡热力学原理，开拓了非平衡定态相图及其计算的新领域，第一次真正从理论和实验对比上定量化地证实反自发方向的反应可以通过热力学反应耙合依靠另一个自发反应提供的能量控动完成。 化学气相沉积的特点 ①保形性: 沉积反应如在气固界面上发生，则沉积物将按照原有固态基底的形状包复一层薄膜。 ②如果采用某种基底材料，在沉积物达到一定厚度以后又容易与基底分离，这样就可以得到各种特定形状的游离沉积物器具。 ③可以沉积生成晶体或细粉状物质，甚至是纳米尺度的微粒。（使沉积反应发生在气相中而不是在基底的表面上） ④可以得到单一的无机合成物质。 CVD对原料、产物及反应类型的要求 1.反应原料是气态或易于挥发成蒸汽的液态或固态物质。 2.反应易于生成所需要的沉积物而其中副产品保留在气相中排出或易于分离. 3.整个操作较易于控制。 2、CVD分类 根据反应类型不同分为： 热解化学气相沉积 化学合成气相沉积 a、氧化还原反应沉积 b、化合反应沉积 化学输运反应沉积 根据激活方式不同分为： 热激活：电阻加热、感应加热、红外辐射加热 等离子增强的反应沉积（PCVD) （PECVD) 激光增强的反应沉积（LCVD) （LICVD) 微波电子共振等子离CVD 2.1 热解化学气相沉积 1、氢化物：氢化物M-H键的离解能、键能都比较小，热解温度低，唯一的副产物是没有腐蚀性的氢气。 原料：通常IV B族ⅢB族和ⅡB族的一些低周期元素的氢化物如CH4、siH4、GeH4、B2H6、PH3、AsH3等都是气态化合物， 产物：相应的副族元素的单质 2、有机烷氧基的化合物，在高温时不稳定，热分解生成该元素的氧化物。 原料：有机烷氧基的化合物 产物：相应的元素的氧化物 3、此外还有一些金属的羰基化合物，本身是气态或者很容易挥发成蒸气经过热分解，沉积出薄膜。 原料：金属的碳基化合物 产物：相应的金属单质或金属氧化物 2.2 氧化还原反应沉积 1、原料：元素的氢化物或有机烷基化合物 反应：氧化反应（通入氧气） 产物：该元素的氧化物薄膜 2、原料：卤化物（许多卤化物是气态或易挥发的物质） 反应：氢还原反应（通入氢气） 产物：卤化物中对应阳离子单质薄膜 2.3 化合反应沉积 在CVD技术中使用最多的反应类型是两种或两种以上的反应原料气在沉积反应器中相互作用合成得到所需要的无机薄膜或其它材料形式。 常利用氢化物或有机烷基化合物的不稳定性，经过热分解后立即在气相中和其它原料气反应生成固态沉积物， 例如： 2.4 化学输运反应沉积 1、利用物质本身在高温下会气化分解然后在沉积反应器稍冷的地方反应沉积生成薄膜、晶体或粉末等形式的产物。 2、也有的时候原料物质本身不容易发生分解，而需添加另一物质(称为输运剂)来促进输运中间气态产物的生成。例如： 2.5 等离子体增强的反应沉积 概念：等离子体增强化学气相沉积是采用高频电场产生等离子体， 使反应物分解后沉积到基片表面。即以外部电能加到CVD环境中，有效地代替一般热激活CVD系统中的电能热激活,可使PECVD的沉积温度大大低于热激活CVD的沉积温度。 主要用于镀膜技术。 等离子化学气相沉积中的优点： 1) 将反应物中的气体分子激活成活性离子，降低反应所需的温度； 2）加速反应物在表面的扩散作用，提高成膜速率； 3）对于基体及膜层表面具有溅射清洗作用； 4）由于反应物中的原子、分子、离子和电子之间的碰撞、散射作用，使形成的薄膜厚度均匀。 3)膜层对基体的附着能力强； 4)扩大了化