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第四章电力电子技术 第一节电力电子器件 电力电子器件：实现电能变换或控制的高电压，大电流半导体器件 一 半控型器件—晶闸管（SCR），又称可控硅。 1957年美国通用电气公司开发出世界上第一只晶闸管，开辟了电 力电子技术的崭新时代。晶闸管有三个极； A-阳极，K-阴极，G-门极。 基本特性如下： 1.在阳极和门极同时施加正向电压，晶闸管才能导通。 2.管子一旦导通，门极就失去控制作用。（采用脉冲触发） 3.要使管子关断，必须使阳极电流降到维持电流以下。 半控型器件—通过对门极的控制能够使其导通，而不能使其关断 二 全控型器件—通过对基极（门极，栅极）的控制，既可使其导 通，又可使其关断的器件。 20世纪80年代以来，门极可关断晶闸管（GTO），电力晶体管 （GTR），电力场效应晶体管（MOSFET）全控型器件迅速发展。 1电力晶体管（GTR）：图形符号同普通晶体管。 优点：导通压降小，功率大。缺点：电流控制型器件，易二次击穿 2电力场效应管（MOSFET）： 三极名称：G：栅极，S：源极，D：漏极 工作原理：用栅极电压来控制漏极电流。工作时漏极 接电源正，源极接电源负。在栅极和源极之间加一正 的控制电压UGS 。当UGS＞UT（开启电压），漏极和源极 导电，UGS ↑，ΙD ↑。 优点：输入阻抗高，电压控制型器件，工作频率最高。不存在二次 击穿。缺点：导通压降大，功率尚小。 3绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 80年代后期开发。是GTR，MOSFET二者优点复合的器件 三个极名称：G：栅极，E：发射极，C：集电极 特点：导通压降小，功率大；电压控制型器件； 工作频率高；不存在二次击穿。已成为中，小功率 变频器的主导器件。 4智能电力电子模块（IPM） 把IGBT电力电子器件，驱动电路，传感器及保护电路等多功能集成 模块化结构。其智能化表现为可以实现控制，保护，接口三大功能 第二节整流电路 整流电路—把交流电压变换成固定的或可调的直流电压。 单相桥式全控整流电路（带阻感负载） 晶闸管VT1，VT4组成一对桥臂，VT2，VT3 组成另一对桥臂。 U2正半周时：控制角α处给VT1，VT4加触发 脉冲使其导通，ud=u2。负载电感的存在使负 载电流不能突变，id近似为水平线。 U2过零变负时：电感的存在使VT1，VT4仍有 电流流过，无法关断，ud跟随u2过零变负。 到π+α时，触发VT2，VT3使它们导通。 U2通过导通的VT2，VT3分别施加反压使VT1， VT4关断。电流从VT1，VT4换到VT2，VT3，此过程为换流。 Ud的平均值： 当α= 0?，Ud = 0.9U2；α= 90? ，Ud = 0。α角移相范围为90? 。 相位控制—调节α角即可控制Ud的大小。这种通过控制触发脉冲的 相位来控制直流输出电压大小的方法。 第三节逆变电路 逆变电路—把直流电变成交流电称为逆变。这种电路称为逆变电路 逆变电路有源逆变和无源逆变两大类。 1有源逆变—交流侧接电网，把直流电逆变成和电网交流电同频 率的交流电，反馈给电网。用于直流可逆调速系统。 2无源逆变—交流侧接负载，把直流电逆变成频率可调或某一固 定频率的交流电，直接供负载使用。 广泛用于交流变频调速系统；UPS不间断电源；感应加热电源等。 单相电压型半桥逆变电路工作原理： 直流侧串联两个大电容。两个桥臂接V1，V2，每个器件反并联一只 续流二极管。V1，V2栅极信号互补，执行“先关断，后导通”原则。 （1）t2时刻前，V1导通，V2关断。负载电压uo=Ud/2为矩形波。负 载电流i0随阻抗角不同滞后的相位也不同，波形呈三角波，L储能。 （2）t2时刻，使V1关断，V2导通。由于电感负载电流i0不能立即 改变方向，i0通过C2，VD2续流,uo=-Ud/2 。L的无功能量向C释放。 （3）t3时刻，i0=0，V2才开始导通，电流i0反向。 （4）t4时刻，使V2关断，V1导通。i0先经VD1续流，uo=Ud/2。 （5）t5时刻，i0=0，V1才开始导通，电流i0反向。 结论：（1）在一个周期中，V1，V2各导通180?，称为180?工作方式 （2）三个单相逆变电路可以组合成一个三相逆变电路。 第五章直流调速系统原理 第一节直流调速系统概述 一直流调速系统分类：按可调直流电源形式分类： 1 G—M系统（直流发电机—电动机