不锈钢双极板之表面改质处理 逢甲大学材料科学与工程学系.doc

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不锈钢双极板之表面改质处理 逢甲大学材料科学与工程学系

不鏽鋼雙極板之表面改質處理 陳士堃 教授編撰一、實驗目的 PEMFC 目前無法商業化的主要因素之一為材料成本過高,而其中一個發展瓶頸為雙極板。因此,本研究之主要目的,乃利用AISI 304不鏽鋼成本低、易加工、機械強度大以及氣密性高與電阻小的特性作為雙極板的材料,以取代價格昂貴、不易加工、機械性質差與氣阻能力較低的石墨雙極板。實驗採用磁控濺鍍式的真空製程技術來被覆鍍層於AISI 304不鏽鋼表面,達到雙極板抗蝕性的要求。二、實驗原理 2-2-1-1 電漿 真空鍍膜技術中所需的高能量離子需藉著形成電漿(plasma)達成。電漿的定義是一團帶電荷的氣体分子,並且其中的正電荷(通常為正離子)和負電荷(通常為電子)總數約略相等;換言之電漿整體呈電中性。通常被激發成電漿態的氣體除了這兩種帶電荷粒子之外,還有若干激動狀態的中性氣體分子。故通常電漿內含有中性氣體分子、離子、電子和激動狀態的中性氣體分子。 在濺鍍製程中形成電漿的方法就是對通入之製程氣體施加高電場,利用直流、交流或微波的方式將氣體或分子離子化;當電源供應器施加一高壓電場於一真空低壓系統中的兩個相對電極板上時,此時存在於氣體中極微量的游離電子受到高壓電場的加速,進而碰撞氣體原子或分子,使受到碰撞的氣體原子或分子發生激發或原子離子化的現象,因而形成電漿。 在直流放電管中,施加一直流電源供應器於兩平行電極板上,隨著施加的電壓不同,電漿會呈現不同的放電階段,如圖所呈現的電流對電壓曲線。首先開始逐漸調高電壓,這時會產生極微量的電流,此一階段稱為湯遜放電(Townsend discharge),這階段由於電壓不夠高,所產生的游離電子會瞬間消失,此時系統中的氣體在這階段仍為絕緣體。當電壓超過臨界值,系統中的自由電子受到高電場的加速,往陽極的方向移動,電子在移動的過程中撞擊到其他中性原子或分子而使其離子化,同時製造出更多的自由電子,這些自由電子經電場加速再去碰撞其他中性原子或分子,如此連鎖式碰撞,產生自由電子和大量離子化的氣體原子,於是發生氣體的崩潰現象(avalanche),電漿的輝光即在這個階段可開始觀察到;在這階段繼續升高電壓可發現取而代之的是電流的增加,電壓卻沒有隨之升高,這時陰極表面的電漿區域逐漸增大,此時電漿可視為導體,因此電阻值在這個區域是下降的,造成電壓不升反降的情況,這個區域稱為正常輝光放電(normal glow discharge)。 圖 直流放電下,典型的電流對電壓曲線圖 若進一步調高電壓,當電漿完全覆蓋陰極表面時,就進入了另一個階段,稱非正常輝光放電(abnormal glow discharge),大部分的濺鍍(sputtering)即採用此區域的電壓電流特性進行濺鍍沈積(sputter deposition)。當電壓繼續調高到一定程度時,陰極表面二次電子的釋放率無法隨之繼續增加,陰極表面則產生崩潰現象,輝光消失,並產生大量的弧點在陰極表面跳動,這些跳動弧點都有極高的電流密度使陰極表面快速釋放大量二次電子,並同時蒸發大量的陰極原子,這一階段稱為電弧放電(arc discharge),陰極電弧被覆法(cathodic arc plasma deposition)就是在這一階段工作【36】。 2--2 濺鍍原理 在真空中,因高壓電場的加速而使具高能量的正離子撞擊固體表面,固體表面的原子和分子與這些高能量入射粒子交換動能後,從固體表面游離出來,這種現象稱為濺射(sputtering),濺射原子到達基材表面而進行薄膜沈積的過程則稱為濺鍍。 當被電場加速的離子到達濺射靶面時,將在靶面附近被由電場發射出來的電子所中和而成為中性粒子,但是其卻仍保有高能量而撞擊靶面,入射粒子在嵌入靶的表層後持續與內部的原子碰撞而逐漸失去動能。當這種外界粒子撞入靶面後,入射粒子的高動能一部份以熱能的形式消耗掉,另一部份能量則直接傳遞給靶材表面的原子,此一過程將使濺射表層的結晶受到損傷,同時構成晶格原子的連續碰撞而朝外部發射,形成所謂的濺射。 高能量離子撞擊固體表面時會產生下列各種現象: 電子、負離子、正離子、氣體與中性粒子的濺射。 離子住入固體表層內部。 被濺射粒子的返回及入射離子的反射。 若入射離子為反應性物質,則將與固體表面被濺射出來的離子化合,或直接在固體表層形成化合物。 因能量的轉移而產生熱及光。 2--3 薄膜沉積機構 以濺鍍方法沈積薄膜時,預鍍的材料是以原子或分子的形成到達基板表面,圖為薄膜沈積之步驟示意圖;在薄膜沈積的過程中濺鍍原子在到達基板表面時發生了吸附、脫附、表面擴散,成核及成長等過程而形成薄膜。在濺鍍的製程中,被靶材被撞擊後所產生的靶材原子,經擴散作用而到達基板,到達基板的原子除了小部分因反射而離開基板,大部分的原子會失去動能而物理性的吸附於基板表面;原子抵達基板表面

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