《半导体集成电路》课件17 模拟集成电路基础.ppt

第12章 模拟电路基础 内容提要 MOSFET的小信号模型 模拟电路中的基本单元 单极放大器 差分对放大器 电流源 运算放大器 1. 不考虑沟道长度调制效应和体效应 改进：消除M2衬底调制效应 措施 二极管连接的PMOS作负载 特殊工艺：将M2（NMOS）放在单独的阱中 三、差分对放大器 为什么使用差分对? 为什么使用差分对? 消除时钟干扰 消除时钟干扰 消除时钟干扰 1.基本差分对 电流源驱动的基本差分对 尾电流源差分对的两个重要特性 常用差分对的输入输出特性 差分对增益 四、恒流源电路 电流源 对基本电流镜的仿真（W＝1.2U） 对基本电流镜的仿真（W＝50U） 损失了电压余度 改进的共源共栅电流镜 作业 1.求共漏极电路的Ri、RO、av值 尾电流源 差分对的输入输出特性 VDD-RDISS 思考：管子的宽长比及尾电流的大小如何影响差分对的输入输出特性曲线？ 输出端的最大电平和最小电平是完全确定的， 与输入共模电平无关 小信号增益当Vin1=Vin2时达到最大，且随着 | Vin1-Vin2|的增大而减小 VDD~VDD-RDISS 半边等效电路增益：同共源极电路 （忽略沟道长度调制效应） VDD-RDISS 用途： 偏置电路 有源负载 基本形式： 镜像电流源（电流镜） 电流源的关键指标： 输出电阻、电容等 稳定性：对电源、工艺、温度的依赖性 电流IOUT严重依赖电源，温度和工艺！！！ 镜像电流源（电流镜） 假设已经存在一个精确的电流源IREF VGS1＝f－1（IREF） 如果忽略沟道长度调制效应 镜像电流源（电流镜）cont. 例题1: 如果图中的所有晶体管都工作在饱和区.求M4的漏电流. 解: 根据公式 有: 同时,|ID3|=|ID2| 考虑到沟道调制效应 VDS1=VGS1=VGS2 VDS1 ≠ VDS2 镜像电流源（电流镜）cont. -------- 共源共栅电流镜 选择Vb,使得 VY＝VX， 即Vb- VGS3 ＝VX Vb=VGS3+VX 若(W/L)3/(W/L)0=(W/L)2/(W/L)1 则VGS0＝VGS3，VY＝VX VGS0+VX=VGS3+VY IOUT=IREF 镜像电流源（电流镜）cont. 改进的共源共栅电流镜 M2饱和的条件: Vb-VTH2=VX(=VGS1) M1饱和的条件: VGS1-VTH1=VA(=Vb-VGS2) 镜像电流源（电流镜）cont. VGS2=VGS4 如果: Vb=VGS2+(VGS1-VTH1)=VGS4+（VGS3-VTH3),则当M1和M3保持相等的漏源电压时,共源共栅电流镜M3--M4消耗的电压余度最小(两个管子的过驱动电压之和).我们称之为“低压共源共栅结构”。 理想电流源 Iout对电源VDD很敏感！！ 精确电流源（电流基准）的产生 电阻 精确电流源（电流基准）的产生cont. 与电源无关的偏置 简单电路 Iout＝KIREF 电流值可以是任意值！ 为确定电流增加电阻RS （M2存在体效应） 消除体效应的替代电路 IOUT与VDD无关 * * 半导体 集成电路 学校：西安理工大学 院系：自动化学院电子工程系 专业：电子、微电 时间：秋季学期 自然界信号的处理 大自然 计算机世界 ADC 010 111 101 CPU DSP ADC 010 111 101 滤波器 数字通信 有损耗电缆 Vin Vout t 一、MOSFET的小信号模型（饱和区） VD ID 非饱和区 饱和区 VG MOS管的大信号特性 MOS管的小信号模型（饱和区） 2. 考虑沟道长度调制效应 MOS管的小信号模型（饱和区） 3. 考虑衬底偏置效应 MOS管的小信号模型（饱和区） 衬底偏压VBS0时，阈值电压增大 MOS 反相器 二、单级放大器 Vin Vout ?VIN ?VOUT 输入阻抗、输出阻抗、增益 在放大电路中，一般将MOS管控制在饱和区 1. 截止区 饱和区 线性区 (a)电阻负载 大信号分析 共源极放大器（小信号分析） Ri ∞ Ro=RD||ro 结论 电阻作为负载元件的缺点： 高增益要求大阻值 电阻值存在很大偏差，不易控制 有源负载放大器 使用有源器件（MOS或二极管）作负载元件 二极管型负载元件 电流源型负载元件 二极管负载 （Vbs=V1=-Vx） 等效电阻: 栅漏相接，工作在饱和区 (相当于忽略沟道长度调制效应） (b)二极管负载共源放大器 大信号特性 输出电压摆幅： Vout（min）=Vin-VT1=Vov Vout（max）=VDD-VT2 过驱动