《电子线路》课件PPT-12 双极型晶体管(BJT).ppt

《电子线路》课件PPT-12 双极型晶体管(BJT).ppt

  1. 1、本文档共27页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
《电子线路》课件PPT-12 双极型晶体管(BJT)

* * 第四章 晶体管及其小信号放大(1) 电子电路基础 §1 双极型晶体管(BJT) § 1.1 基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区:较薄,掺杂浓度低 集电区:面积较大 发射区:掺 杂浓度较高 制造工艺上的特点 电路 符号 两种类型的三极管 § 1.2 BJT的电流分配与放大原理 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通过载流子传输体现出来的。 (1)工作在放大状态的外部条件: 发射结正偏,集电结反偏。 (2)三种组态 共发射极接法、共集电极接法、共基极接法 1 内部载流子的传输过程 (以NPN为例 ) 发射区:发射载流子 集电区:收集载流子 基区:传送和控制载流子 (1)IE= IEN+ IEP 且有IENIEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN IBN ,ICNIBN (2)IC=ICN+ ICBO (3)IB=IEP+ IBN-ICBO (4)IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEP-ICBO) (5)IE =IC+IB 2 电流分配关系式 3 三极管的电流放大系数 IC=ICN+ICBO= IE+ICBO= (IC+IB)+ICBO (1) 共基极电流放大系数 、 只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。一般 = 0.9?0.99 在放大区的相当大的范围内 - 共基极交流电流放大系数 - 共基极直流电流放大系数 因 ≈1, 所以 1 定义: =IC /IB=(ICN+ ICBO )/IB (2) 共射极直流电流放大系数 、 - 共射极直流电流放大系数 - 共射极交流电流放大系数 在放大区的相当大的范围内 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 § 1.2 晶体管的共射极特性曲线 + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC UBE IC IB + - UCE IB=f(UBE)? UCE=const 1. 输入特性曲线 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降: 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压,硅管0.5V,锗管0.2V。 2、输出特性曲线 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区(放大区)。 当UCE大于一定的数值时,IC只与IB有关,IC=?IB。 IC=f(UCE)? IB=const IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏,?IBIC,UCE?0.3V称为饱和区。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压,称为截止区。 输出特性三个区域的特点: 放大区:发射结正偏,集电结反偏。 即: IC=?IB , 且 ?IC = ? ?IB (2) 饱和区:发射结正偏,集电结正偏。 即:UCE?UBE , ?IBIC,UCE?0.3V (3) 截止区: UBE 死区电压, IB=0 , IC=ICEO ?0 例1:试判断三极管的工作状态 例2:用数字电压表测得放大电路中晶体管的各极电位,试判断晶体管的类型(为NPN型还是PNP型,硅管还是锗管,分别标上B、E、C。 例3: ?=50, USC =12V, RB =70k?, RC =6k? 当USB = -2V,2V,5V时, 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区? 当USB =-2V时: IC

文档评论(0)

jiupshaieuk12 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:6212135231000003

1亿VIP精品文档

相关文档