基于ISE软件的晶体管辐射效应模拟-全套本科毕业论文设计文章.doc

系 （ 所 ） 核工程与核技术 系 (所) 主任 单建强 批 准 日 期 2013年2月25日 毕业设计(论文)任务书 能源与动力工程学 院 核科学与技术 系 钱学森92 班 学生 王晨辉 毕业设计(论文)课题 基于ISE软件的晶体管辐射效应模拟 毕业设计(论文)工作自 2013 年 2 月 25 日起至 2013 年 6 月 16 日止 毕业设计(论文)进行地点： 西北核技术研究所 西安交通大学 课题的背景、意义及培养目标 空间辐射环境中的质子、电子和重离子以及核爆炸辐射环境中的中子和γ会在电子器件中同时产生位移效应和电离辐射总剂量效应。辐射效应考核中均假设这两种效应之间是独立的，但近年来有大量研究表明，它们之间存在协和效应。目前，位移效应、电离辐射总剂量效应各自的单项辐射效应机制研究比较清楚，但是两者之间的协和效应尚有许多问题需要深入探索，已日渐成为辐射效应领域的研究热点。 培养目标：培养学生的分析问题和解决问题的能力，使学生掌握辐射效应机理和半导体器件及工艺仿真工具ISE-TCAD的使用方法，为学生后续研究生阶段的学习打下良好的基础。 设计(论文)的原始数据与资料 1. 半导体工艺及器件仿真工具ISE-TCAD使用说明书； 2. 横向PNP晶体管尺寸和结构参数； 3. 国家自然基金课题“源区致电离辐射对电子器件中子辐射效应影响机制研究”申请书； 4. 电子元器件抗辐射加固技术。 课题的主要任务 1. 掌握中子位移效应和电离辐射总剂量效应的辐射效应机理，熟悉半导体工艺及器件仿真工具ISE-TCAD模拟软件的使用方法，为后续的辐射效应模拟奠定扎实的基础。 2. 完成对横向PNP晶体管常态下的电学特性，以及中子位移损伤效应、电离辐射总剂量效应的数值模拟。 3. 开展对横向PNP晶体管中子位移效应和电离辐射总剂量效应的协和效应数值模拟方法的探索研究。 课题的基本要求(工程设计类题应有技术经济分析要求) 1. 熟练掌握半导体器件及工艺仿真工具ISE-TCAD的使用方法； 2. 横向PNP晶体管器件建模正确； 3. 开展辐射效应数值模拟时所采用的物理模型正确合理； 4. 计算结果合理可靠，对结果有较深入的分析。 完成任务后提交的书面材料要求(图纸规格、数量，论文字数，外文翻译字数等) 1. 纸张：纸型为A4（21.0cm×29.7cm）标准，双面打印。