单片机第3章讲义C1.ppt

三、 发射极耦合逻辑（ECL）门 了解基本原理 主要特点： ECL 门的优点是速度快，因为它不用饱和态。 另一优点是工作电流平稳，没有动态尖峰。 ECL 门的缺点是高、低电平太接近（约0.8V） 抗干扰能力差。另一个缺点是功耗较大。 附：集成注入逻辑（I2L） 也叫合并型晶体管逻辑（MTL），其优 点是以恒流源供电的非门为基本单元，电路 结构简单，集成度高、功耗较低，延迟小， 速度快。 缺点是高低电平摆幅较小，约0.6V，抗 干扰能力差。 四、 MOS逻辑门 MOS型电路是另一种常用电路，MOS意为金属—氧化物半导体（Metal-Oxide Semiconductor） （一）、MOS晶体管 晶体三极管有： E发射极 B基极 C集电极 机理是：基极电流IB 控制集电极电流IC。 结构有： NPN PNP MOS三极管有： S源极 G栅极 D漏极 机理是： 栅极电压VG控制漏极电流ID 结构有： N沟道 P沟道 MOS管的标准符号 和简化符号都要会。 MOS管除分N沟道、P沟道外，还分增强型和耗尽型。增强型栅压为0无沟道，耗尽型栅压为0也有沟道。 1、MOS管的基本结构 以N沟道增强型为例 源、漏极结构对称，可以互换使用 P衬 P型衬底，N型沟道 2、 N沟道增强型MOS管的工作特点为： 栅极电压VGS小于开启电压VGS（th）时，无沟道形 成，漏极电流ID为0。VDS爱多大多大！（截止区） 栅极电压VGS大于等于开启电压VGS（th）时，沟道形 成，有ID形成，分两种情况： a、VDS较大，大于 VGS — VGS（th），ID随VGS的 增加而增加。VDS 已使 ID 饱和，没什么影响了。 （饱和区） b、VDS较小，小于VGS — VGS（th），ID随VGS的 增加也增加，但与VDS的大小密切相关。 或者 也可以这样说：对某一VGS，ID随VDS线性增加， 且VGS越大，斜率越大，等效电阻越小。 （非饱和区 or 可调电阻区） 用输出特性曲线说明三个区的情况： 3、转移特性和跨导gm VGS 和 IDS的关系 通常用跨导表示： ? I DS gm= ———— ? VGS VDS=常数 它代表VGS对 IDS的 控制能力。gm与沟道宽 度和长度有关。 沟道宽 度越宽、长度越短，g m 越大，控制能力越强。 4、MOS 管的输入电阻和输入电容 MOS管的输入阻抗指栅极到源极（或漏极）的电阻， 由于有SiO2绝缘层的阻隔，电阻极大，通常在1012欧姆以 上。作为静态负载对前级几乎没有什么影响。 MOS管的栅极、源极之间有很小的寄生电容，称为 输入电容，虽然很小（几P或更小），但由于输入阻抗 极高，漏电流很小