CN107412960-CN201710544870-中子捕获治疗系统.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107412960 A (43)申请公布日 2017.12.01 (21)申请号 201710544870.9 (22)申请日 2015.11.12 (62)分案原申请数据 201510770609.1 2015.11.12 (71)申请人 南京中硼联康医疗科技有限公司 地址 211112 江苏省南京市江宁区江宁科 学园龙眠大道568号 (72)发明人 刘渊豪　陈韦霖　 (51)Int.Cl. A61N 5/10(2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图5页 (54)发明名称 中子捕获治疗系统 (57)摘要 本申请提供一种中子捕获治疗系统，包括射 束整形体，其包括射束入口、设于射束整形体内 的中子产生部、邻接于中子产生部的缓速体、包 围在缓速体外的反射体及射束出口，中子产生部 与自射束入口入射的质子束发生核反应以产生 中子，缓速体将自中子产生部产生的中子缓速， 反射体将偏离的中子导回至所述缓速体以提高 超热中子射束强度，射束整形体包括至少一个能 够向远离或者靠近中子产生部方向运动的活动 件，所述活动件具有第一位置和第二位置，所述 活动件在该第一位置和第二位置之间运动，当活 动件位于第一位置时，中子产生部能够被更换； A 当活动件位于第二位置时，中子产生部不能够被 0 更换。本申请中子产生部更换方便，结构简单，运 6 9 2 用灵活。 1 4 7 0 1 N C CN 107412960 A 权　利　要　求　书 1/2页 1.一种中子捕获治疗系统，包括射束整形体，其特征在于：所述射束整形体包括射束入 口、设于射束整形体内的中子产生部、邻接于中子产生部的缓速体、包围在中子产生部和缓 速体外的反射体及射束出口，所述中子产生部与自所述射束入口入射的质子束发生核反应 以产生中子，所述缓速体将自所述中子产生部产生的中子缓速，所述反射体将偏离的中子 导回至所述缓速体以提高超热中子射束强度，所述射束整形体包括至少一个能够向远离或 者靠近中子产生部方向运动的活动件，所述活动件具有第一位置和第二位置，所述活动件 在该第一位置和第二位置之间运动，当活动件位于第一位置时，中子产生部能够被更换；当 活动件位于第二位置时，中子产生部不能够被更换，所述活动件为部分反射体或者部分反 射体与部分缓速体的组合。 2.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述活动件为部分反射体， 所述中子产生部设置在所述缓速体的前方被所述反射体包覆住，所述缓速体邻接在所述中 子产生部的后方。 3.根据权利要求1所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述活动件具有对称平面， 所述活动件沿该对称平面对称，所述中子产生部具有轴线，所述活动件的对称平面经过所 述中子产生部的轴线，所述反射体具有第一直线高度，所述活动件具有第二直线高度，所述 中子产生部具有第三直线高度，所述第二直线高度小于或者等于第一直线高度而大于第三 直线高度。 4.根据权利要求2所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述反射体具有第一连接 部，所述第一连接部具有第一连接面和第一结合面，所述活动件具有第二连接部，所述第二 连接部具有第二连接面和第二结合面，当活动件的第二直线高度小于反射体的第一直线高 度而大于中子产生部的第三直线高度时，所述反射体的第一连接面与第一结合面重合，所 述活动件的第二连接面与第二结合面重合，所述活动件的第二结合面与反射体的第一结合 面连接且与所述加中子产生部轴线所在的任意一个平面重合。 5.根据权利要求2所述的中子捕获治疗系统，其特征在于：所述反射体具有第一