CN107475652-CN201710726006-一种调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107475652 A (43)申请公布日 2017.12.15 (21)申请号 201710726006.0 (22)申请日 2017.08.22 (71)申请人 哈尔滨工程大学 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南 通大街145号哈尔滨工程大学科技处 知识产权办公室 (72)发明人 佟运祥　李莉　周惠敏　李珍　 张殿涛　 (51)Int.Cl. C22F 1/10(2006.01) C22F 1/02(2006.01) C22C 19/03(2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的 方法 (57)摘要 本发明提供的是一种调控TiNi基记忆合金 中R相存在区间的方法。(1)以塑性变形与后续退 火处理相结合的工艺获得晶粒尺寸在150～ 300nm范围内的超细晶TiNi基记忆合金；(2)将所 述超细晶TiNi基记忆合金在真空或者惰性气体 保护条件下进行长时间时效处理，水冷或空冷， 所述长时间时效处理具体包括：时效温度为150 ～300℃、时效时间为1～100h；(3)利用机械抛光 或酸洗去除合金表面氧化层。本发明工艺简单， 对设备要求低，所制备的R相TiNi基记忆合金具 有相变热滞后小、循环稳定性好、阻尼损耗因子 A 高、响应频率高等优点，可用于制备驱动器、生物 2 医疗器械等。 5 6 5 7 4 7 0 1 N C CN 107475652 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法，其特征是： (1)以塑性变形与后续退火处理相结合的工艺获得晶粒尺寸在150～300nm范围内的超 细晶TiNi基记忆合金； (2)将所述超细晶TiNi基记忆合金在真空或者惰性气体保护条件下进行长时间时效处 理，水冷或空冷，所述长时间时效处理具体包括：时效温度为150～300℃、时效时间为1～ 100h； (3)利用机械抛光或酸洗去除合金表面氧化层。 2.根据权利要求1所述的调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法，其特征是：所述 TiNi基记忆合金包括TiNi、TiNiFe、TiNiV或TiNiCr合金。 3.根据权利要求1或2所述的调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法，其特征是所 述塑性变形工艺为：冷轧、冷拔、高压扭转或等径角挤压；其中冷轧与冷拔的变形量不低于 30％。 4.根据权利要求1或2所述的调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法，其特征是所 述后续退火处理工艺为：后续退火温度为400～600℃，保温时间为15～60min。 5.根据权利要求3所述的调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法，其特征是所述后 续退火处理工艺为：后续退火温度为400～600℃，保温时间为15～60min。 2 2 CN 107475652 A 说　明　书 1/4页 一种调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法 技术领域 [0001] 本发明涉及的是一种TiNi基合金的制备方法，具体地说是一种调控TiNi基合金中 R相存在区间的方法。 背景技术