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單元一；半導體與二極體 CN型半導體於鍺或矽中加入之雜質為 (A)三價 (B)四價 (C)五價 (C)各價均可。 CPN接面二極體的接面兩側空乏區(depletion region)中 (A)有自由電子 (B)有自由電洞 (D)有正負離子 (D)什麼都沒有。 O二極體接反向偏壓時，空乏區寬度變大。 B矽質(Sillcon)二極體(Diode)在常溫之下，其切入電壓(Cutin Voltage)約為 (A)0.2～0.3V (B)0.5～0.7V (C)1.2～1.5V (D)以上皆非。 D一般矽質PN二極體兩端的順向偏壓隨溫度的變化的情形是 (A)25mV/℃ (B)-25mV/℃ (C)2.5mV/℃ (D)-2.5mV℃。 A矽二極體之膝點電壓(VK)在室溫下約為0.7V，當溫度升高時，VK將 (A)下降 (B)上升 (C)不變 (D)不一定。 A當溫度升高時，一般金屬導體電阻增加，而半導體(矽等)在溫度上升時，其電阻 (A)下降 (B)上昇 (C)不變 (D)成絕緣體。 DP-N二極體逆向飽和電流IS，在溫度每上升10℃約增加一倍，若一二極體於300℃時IS=luA，於400℃時IS應為 (A)100 (B)200 (C)800 (D)1024 uA。 D某一個二極體最大功率額定值為0.25W，設最小電壓降為1V，則最大順向電流為 (A)25mA (B)50mA (C)125mA (D)250mA。 BGe(鍺)二極體作為檢波較矽二極體好，其原因為 (A)內阻小 (B)順向切入電壓低 (C)頻率響應佳 (D)雜音少。 X二極體用在檢波時，要工作在線性區。 X二極體有整流、檢波、載波、單向導通及放大等功能。 B二極體串聯可增加 (A)最大電流 (B)最大逆向電壓 (C)交換時間 (D)功率消耗。 B二極體內部電容量 (A)與其外加逆向電壓成正比 (B)與其外加逆向電壓成反比 (C)與外加逆向電壓無關 (D)與外加逆向電壓的1/2成正比。 A二極體並聯時，可增加 (A)最大電流 (B)最大逆向電壓 (C)交換時間 (D)以上皆正確。 B二極體電流的極大值是由二極體 (A)順向偏壓 (B)反向偏壓 (C)額定電壓 (D)功率散逸率來決定。 X功率二極體串聯時，因二極體特性不完全相同，故通常都串聯一個電阻用以平衡二極體通過電流、消耗功率及熱平衡。 D功率半導體與散熱片間塗上矽脂膏，其作用下列何者是錯誤的 (A)增加散熱之有效接觸面積 (B)降低接觸熱阻抗 (C)改善散熱情況 (D)不受溫度影響。 B功率半導體，一般本身散熱不足，需外加散熱片，欲散熱良好，所挑選之散熱片以何者為佳 (A)熱阻抗較大的 (B)熱阻抗較小的 (C)與熱阻抗無關 (D)能耐高壓的材料。 A整流二極體使用時應注意那些特性，以下敘述何者錯誤 (A)逆向最高電流 (B)順向最大電流 (C)順向電壓 (D)逆向最高耐壓。 C齊納(Zener)二極體工作於 (A)順向電壓 (B)逆向電壓 (C)逆向崩潰電壓 (D)逆向電流區。 B齊納二極體(Zener Diode)最常用於 (A)整流 (B)穩壓 (C)檢波 (D)諧波。 C齊納二極體(Zener Diode)的稽納電壓 (A)呈負溫度係數 (B)呈正溫度係數 (C)稽納電壓在6V以上呈正溫度係數，6V以下呈負溫度係數 (D)稽納電壓在5V以下呈正溫度係數，6V以上呈負溫度係數。 B3V的稽納(Zener)二極體，用三用電表R*1檔測量，若加上順向偏壓時其讀數約為 (A)0.3V (B)0.6V (C)3V (D)6V。 B如下圖電路之輸出波形可為 (A) (B) (C) (D)。 C參考下圖所示之電路，求流經稽納二極體之電流為多少 (A)1 (B)3 (C)5 (D)10 mA。 C如圖設計，其中稽納二極體特性如加圖，若偏壓為10V時，最低反向電流為10mA，請問R1應選取下列何者才適合 (A)50Ω、1W (B)500Ω、1W (C)45.6Ω、1W (D)45.6Ω、1/2W。 A如圖電路中之稽納(Zener)二極體之最小與最大電流為 (A)1,9 (B)3,12 (C)5,15 (D)7,18 mA。 D如圖所示為一稽納(Zener)二極體穩壓電路，設VS=50V，IL之變動範圍為0至l，IZ最小為5mA，最大為40mA ， 試求RS (A)20K (B)10K (C)7K (D)3K Ω。 B如圖之電源電路，當RL短路時，矽電晶體Q之最大電功率消耗約為 (A)6.6W (B)7.5W (C)15W (D)25W。 D如圖電路中，當S開路後1mS時，VO電壓等於 (A)5mV (B)50mV (C)0.5V (D)5V。 B右圖中VO電壓等於多少 (A)5V (B)5.5V