上式成为将基区内建电场e代入电子电流密度方程.ppt

BVCEO 与 BVCBO 的关系 当 时，即 时， ，将此关系 即 代入 M 中，得 在击穿的起始阶段电流还很小， 在小电流下变小，使满足击穿条件 的 M 值较大，击穿电压 BVCEO 也就较高。随着电流的增大， 恢复到正常值，使满足 的 M 值减小，击穿电压也随之下降到与正常的 与 值相对应的 ，使曲线的击穿点向左移动，形成一段负阻区。 ICEO ~VCE 曲线中经常会出现一段 负阻区。图中， VSUS 称为维持电压。 原因： ICEO BVCEO VCE VSUS IC 0 负阻区 雪崩击穿对共发射极输出特性曲线的影响 3.5.4 发射极与基极间接有外电路时的反向电流与击穿电压 （本小节请同学们自学） 3.5.5 发射结击穿电压 集电极开路 ( IC = 0 ) ，发射极与基极之间加反向电压时的 IE 记为 IEBO ，使 I’EBO → ∞ 时的发射极与基极间反向电压记为BVEBO 。 在一般晶体管中，NE NB NC ，所以 BVCBO 取决于 NC ， BVEBO 取决于 NB ，且 BVCBO BVEBO 。 3.5.6 基区穿通效应 WB N+ N P 0 集电结上的反向电压增大到其势垒区将基区全部占据时，WB’ = 0，这种现象称为 基区穿通，相应的集电结反向电压称为 基区穿通电压，记为 Vpt 。 基区穿通时，进入基区中的势垒区宽度与基区宽度相等。对于突变结，当忽略 Vbi 时， 防止基区穿通的措施：增大 WB 与 NB 。这与防止厄尔利效应的措施一致，但与提高放大系数 与 的要求相矛盾。 1、基区穿通电压 2、基区穿通对 ICBO ~ VCB 特性的影响 当 VCB 较小时，开路的发射极上存在一个反偏浮空电势 。当 VCB 增大到穿通电压 Vpt 时，基区穿通。如果 VCB 继续增加 ，因耗尽区不可能再扩展，所以 VCE 保持 Vpt 不变 。对于平面晶体管，VCB 超过 Vpt 的部分 ( VCB – Vpt )将加在发射结的侧面，使发射结浮空电势增大。当 (VCB –Vpt) 达到发射结击穿电压时，发射结发生击穿，使 ICBO 急剧增加。 ICBO VCB N+ P N E B C 3、基区穿通对 ICEO ~ VCE 特性的影响 基极开路、集电极和发射极间加 VCE 时，发射结上有一个很小的正向电压 VBE ，其余绝大部分是集电结的反向电压 VCB。当 VCE 增加到 VCE = Vpt +VBE 时，基区穿通 。当 VCE 继续增加时，VCB 保持 Vpt 不变，因此只要 VCE 稍微增加一点，使 VBE 达到正向导通电压 VF，就会有大量发射区载流子注入穿通的基区再到达集电区，使集电极电流 ICEO 急剧增加。 ICEO VCE N+ P N E B C 在平面晶体管中 ，NB NC ，势垒区主要向集电区扩展 ，一般不易发生基区穿通。但可能由于材料的缺陷或工艺的不当而发生局部穿通。 VCB VB ICBO 0 4、基区局部穿通 3.6 基极电阻（可以先不看） 把基极电流 IB 从 基极引线 经 非工作基区 流到 工作基区 所产生的电压降，当作是由一个电阻产生的，称这个电阻为 基极电阻，用 rbb’ 表示 。由于基区很薄，rbb’ 的截面积很小，使 rbb’ 的数值相当可观，对晶体管的特性会产生明显的影响。 以下的分析以 NPN 管为例。 基极电阻是表征晶体管电学特性好坏的一个重要参数, 必须在设计和制造时尽量减小基极电阻。 基极电阻的影响： ①影响晶体管的输入阻抗； ②产生电压反馈； ③引起发射极电流集边效应； ④影响晶体管的功率增益特性； ⑤影响晶体管的频率特性； ⑥影响晶体管的电流容量； ⑦影响晶体管的噪声特性、开关特性等。 ( 1 ) 基极金属电极与基区的欧姆接触电阻 rcon ( 2 ) 基极接触处到基极接触孔边缘的电阻 rcb ( 3 ) 基极接触孔边缘到工作基区边缘的电阻 rb ( 4 ) 工作基区的电阻 rb’ 基极电阻 rbb’