外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿.ppt

电子技术由模拟电子技术和数字电子技术构成。 模拟电子技术处理的信号在时间上和数值上是连续 变化的，如温度和速度——模拟信号。相应的电路 称为模拟电路。 主 要 内 容 第 9 章 半导体二极管和三极管 第10章 基本放大电路 第11章 运算放大器 第12章 直流稳压电源 9.2.2 伏安特性 9.3 稳压管 3. 主要参数 9.4. 2 电流分配和放大原理 1.晶体管放大的外部条件 9.4.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 9.5 光电器件 光电半导体器件可分为发光器件与光敏器件两大类。 9.5.2 光电二极管 9.5.3 光电晶体管 [例 1] 图中通过稳压管的电流 IZ 等于多少？R 是限流电阻，其值是否合适？ IZ DZ +20 R = 1.6 k? UZ = 12V IZM = 18 mA IZ IZ IZM ，电阻值合适。 [解] 9.4 晶体管 9.4.1 基本结构 N 型硅 二氧化硅保护膜 B E C N 型硅 P 型硅 (a) 平面型 N 型锗 E C B 铟球 铟球 P P (b)合金型 返回 1. NPN 型三极管 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 N N 集电极 C 基极 B 发射极 E P 晶体管分为 NPN 型和 PNP 型两类。 E C B 符号 T 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 N 集电极 C 发射极 E 基极 B N P P N 2. PNP 型三极管 　 　 C B E T 符号 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 9.4.2 电流分配和放大原理 实验电路采用共发射极接法。发射结上加正向电压(正向偏置)，集电结加反向电压(反向偏置)。 mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 设 EC = 6 V，改变可变电阻 RB，则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化，测量结果如下表： 基极电路 集电极电路 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 IE/mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IC/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IB/mA 晶体管电流测量数据 结论：(1) 符合基尔霍夫定律 (2) IC 和 IE 比 IB 大得多。 式中，? 称为动态电流(交流)放大系数 晶体管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 (3)当 IB = 0(将基极开路)时，IC = ICEO，表中 ICEO 0.001 mA = 1 ?A。 (4)要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，发射区才可向基区发射电子；而集电结必须反向偏置，集电区才可收集从发射区发射过来的电子。 + UBE ? IC IE IB C T E B ? ? ? ? + UCE ? NPN 型晶体管 + UBE ? IB IE IC C T E B ? ? ? ? + UCE ? PNP 型晶体管 对于 NPN 型三极管应满足: UBE 0 UBC 0 即 VC VB VE 对于 PNP 型三极管应满足: UEB 0 UCB 0 即 VC VB VE 反映了晶体管的性能，是分析放大电