电气设计高压部分基本知识讲解.docVIP

高 电 压 复 习 绪论 1.1 高压输电的必要性（重要意义） ·线损与发热 不同截面的电缆和架空线都有其最大允许的载流量，电流过大会使线路能量损耗太大导 致导线温度过高而引发事故，所以要增大输电容量必须提高输电电压。 ·线路电压降 为保持用户的电压在合理的运行范围之内，对线路电压降必须有所限制。因此从这一点出发，也只有提高输电电压才能增大传输容量。 ·电力系统稳定性 要增大输送功率或增大传输距离，都必须提高输电电压。对于远距离输电线路而言，上述三种制约因素中，最重要的约束条件是保证电力系统的稳定 1.2电力工业对高电压技术发展的促进作用 对高电压技术发展的促进因素，除电压等级的影响外，还有不同输电方式的应用，如紧凑型输电技术，灵活交流输电技术，高压直流与轻型高压直流输电。 · 紧凑型输电线路的特点是取消常规线路杆塔的相间接地构架而将三相线路置于同一塔窗中，使导线相间距离显著减小。 因此，与常规线路相比，紧凑型输电线路的电感减小，电容增大，即线路的波阻抗减小，从而增大了输电线路的自然功率，也就是说可以有效地提高线路的输送能力。紧凑型输电的另一个显著优点是线路走廊减小，因而占地减少。 · 灵活交流输电系统是指装有电力电子型或其它静止型控制器以加强系统可控性和增大传输能力的交流输电系统。 静止补偿器（SVC）中既装有用来提高功率因数的并联电容器以保证重载时用户端的电压不致太低，又装有并联电抗器以降低线路轻载或空载时长线末端出现的工频过电压。 SVC的电抗可从电容性到电感性按需要调节，从而使SVC安装点的电压保持在一定的范围内。 ·概念：电子脱离原子核的束缚而形成自由电子和正离子的过程称为电离。 ·电离方式：（1）热电离 （2）光电离 （3）碰撞电离 （4）分级电离 原子中电子在外界因素的作用下可跃迁到能级较高的外 层轨道，称之为激励，所需的能量称为激励能。 若混合气体中甲气体的亚稳激励态能高于乙气体的电离能，则会出现潘宁效应，可使混合气体的击穿强度低于这两种气体各自的击穿强度。 2.3 电极表面的电子逸出获得能量的途径 （1）正离子撞击阴极 （2）光电子发射 （3）强场发射 （4）热电子发射 2.4 气体中负离子的形成过程：电子逸出后附着某一中性原子上后形成负离子。 负离子形成途径： 2.5 带电质点的消失 （1）带电质点的扩散 带电质点从浓度较大的区域向浓度较小的区域的移动，从而使浓度变得均匀的过程，称为带电质点的扩散。电子的热运动速度高、自由行程大，所以其扩散比离子的扩散快得多。 （2）带电质点的复合 带异号电荷的质点相遇，发生电荷的传递和中和而还原为中性质点的过程，称为复合。带电质点复合时会以光辐射的形式将电离时获得的能量释放出来，这种光辐射在一定条件下能导致间隙中其他中性原子或分子的电离。带电质点的复合率与正、负电荷的浓度有关，浓度越大则复合率越高。 2.6非自持放电和自持放电的概念 外施电压小于U0时的放电是非自持放电。 外施电压到达U0后的放电是自持放电。 U0称为放电的起始电压。 2.7电子崩的形成过程：电子碰撞电离，电子数如雪崩式增长，将这一剧增的电子流称为电子崩。 2.8流注 ·概念：pd值较大时放电过程也是从电子崩开始的，但是当电子崩发展到一定阶段后会产生电离特强，发展速度更快的新的放电区，这种过程称为流注放电。 ·流注的形成条件： 形成流注的必要条件是电子崩发展到足够的程度后，电子崩中的空间电荷使原电场明显畸变，大大加强了崩头及崩尾处的电场。 电子崩中电荷密度很大，所以复合过程频繁，放射出的光子在崩头或崩尾强电场区很容易引起光电离。二次电子的主要来源是空间的光电离。 2.9 电晕放电概念：极不均匀电场中放电，间隙击穿前在高场强区会出现蓝紫色的晕光。 2.10电晕放电的危害与对策 危害：功率损耗、电磁干扰、噪声污染 对策：限制导线的表面场强 ，采用分裂导线。 气体间隙的击穿强度 3.1 稳态电压下的击穿 · 均匀电场中的击穿 特点：（1）均匀电场中电极布置对称，击穿无极性效应； （2）均匀场间隙中各处电场强度相等，击穿所需时间极短，其直流击穿电压、工频击穿电压峰值、50%冲击击穿电压相同；（3）击穿电压的分散性很小。 ·稍不均匀电场中的击穿 球间隙 a.dD/4时，电场均匀，直流、交流和冲击电压击穿电压相同； b.dD/4时，电场不均匀程度增大，击穿场强下降，出现极性效