共基极直流电流放大系数=ic－icbo.ppt

* 4.1 BJT 一、BJT的结构简介 二、放大状态下BJT的工作原理 三、BJT的V-I 特性曲线 四、BJT的主要参数 五、温度对BJT参数及特性的影响 　 BJT (Bipolar Junction Transistor)，又称半导体三极管、晶体三极管、晶体管，或双极型晶体管。 一、BJT的结构简介 　 三极管是通过一定的制作工艺，将两个PN结结合在一起的器件，两个PN结相互作用，使三极管成为一个具有控制电流作用的半导体器件。三极管可以用来放大微弱的信号和作为无触点开关。 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管 BJT的外型图 一、BJT的结构简介 两种类型:NPN和PNP e(Emitter) ：发射极 b(Base）： 基极 c(Collector)：集电极 发射结 集电结 基极 发射区 集电区 三极: 三区: 两结: 发射区 基区 集电区 发射结和集电结 1.结构 发射极 集电极 基区 三极管的结构示意图和符号 　 三极管基区很薄，一般仅有1微米至几十微米厚，发射区掺杂浓度很高，集电结截面积比发射结截面积大。这是三极管实现电流放大的内部条件。 1.BJT的结构特点 　 三极管分为三个区，分别是基区、发射区和集电区。引出发射极e、 基极b和集电极c三个电极。两个PN结分别称为发射结和集电结。  BJT结构剖面图 　 ⑵按基片的材料不同，分为锗管和硅管两大类。 　 ⑶按频率特性不同，分为高频管和低频管。 　 ⑷按功率大小不同，分为大功率管、中功率管和小功率管。 　 实际应用中采用NPN型三极管较多，所以下面以NPN型三极管为例加以讨论，所得结论对于PNP三极管同样适用。 BJT制造工艺：采用合金法和扩散法 2.BJT的分类 　 ⑴按结构不同，分为NPN型和PNP型两类。目前国内生产的硅管多为NPN型（3D系列），锗管多为PNP型（3A系列）。三极管符号的箭头方向表示发射结加正向偏置时的电流方向。 我国晶体管的型号命名方法 外部条件：发射结正偏，集电结反偏 二、放大状态下BJT的工作原理 1. 内部载流子的传输过程（以NPN为例） B E C N N P VEE RB 基区空穴向发射区扩散，形成IEP ，可忽略 。 IEP VCC RC 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN 。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成扩散电流IEN。 扩散的电子流与复合电子流的比例决定了三极管的放大能力。 IBN 进入P区的多数电子，由于浓度差，继续向集电结方向扩散。 IEN B E C N N P VEE RB VCC RC IBN IEN 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结，形成ICN。 ICN IB IC ICBO IE B E C N N P VEE RB VCC RC IBN IEN ICN IB IC ICBO IE IC=ICN+ICBO ?ICN IB=IBN-ICBO?IBN IE=IB+ IC 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 由于三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。 2. 电流分配关系 根据传输过程可知 IC= ICN+ ICBO ≈ ICN IE=IB+ IC ? 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99 。 B E C N N P VEE RB VCC RC IBN IEN ICN IB IC ICBO IE ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。 根据 IE=IB+ IC IC= INC+ ICBO 且令 ICEO= (1+ ? ) ICBO （穿透电流） 3. 三极管的三种组态 （c）共集电极接法 集电极作为公共电极，用CC表示。 （b）共发射极接法 发射极作为公共电极，用CE表示； （a） 共基极接法 基极作为公共电极，用CB表示； BJT的三种组态 共基极放大电路 4. 放大作用 若 ?vI = 20mV 电压放大倍数 使 ?iE = -1 mA， 则 ?iC = ? ?iE = -0.98 mA， ?vO = -?iC? RL = 0.98 V， 当 ? = 0.98 时， 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件