i晶闸管伏安特性测试.docVIP

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  • 2018-03-18 发布于天津
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i晶闸管伏安特性测试

半导体专业实验指导书 编写:王冬芳 张如亮 刘艳涛 审稿:李福德 西安理工大学 自动化与信息工程学院 电子工程系实验中心 使用说明 本书供微电子学专业和电子科学与技术专业高年级同学使用。本书在以前专业实验侧重于大功率半导体器件的基础上,进行了修正,增加了传感器测试实验和集成电路测试实验。这样内容从小功率器件测试到大功率器件的测试,从模拟集成运算放大器参数测试到数字集成电路功能和参数测试,非常丰富,因此,希望同学们在实验前能做好预习工作,能结合所学课程的内容,认真阅读教材,了解实验目的,熟悉实验原理,搞懂实验方法,完成课后的有关预习思考题。 限于水平和经验,同时时间又比较仓促,这本教材的编审出版工作还会有缺点和不足之处,希望同学们能够提出批评建议,指出不足,以备改进。 王冬芳 2005年11月 目 录 实验一、晶闸管伏安及触发特性的测量1 I 晶闸管伏安特性测试1 II 晶闸管门极特性测试5 III晶闸管维持电流测试7 实验二、晶闸管通态峰值压降的测量10 实验三、双极晶体管直流参数的测量14 实验四、MOSFET交直流参数的测试21 实验五、晶体管Cc、rbb’乘积的测量26 实验六、晶体管开关参数的测量29 实验七、

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