- 1、本文档共3页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
纳电子物理与器件
附3.光学与电子信息 学院(系) 硕士 研究生课程简介
课程名称:纳电子物理与器件 课程代码:182.646 英文名称:Nanoelectronic Physics and Devices 课程类型:□高水平课程 ■国际化课程 □高水平国际化课程 □一般课程 课程类别:■一级学科基础程 □二级学科基础课程 □专业课程 考核方式: 开卷 教学方式:课堂讲授 适用层次: 硕士 ■ 博士□ 开课学期: 秋季 总学时/讲授学时: 40/40 学分:2.5 适用专业:微电子学与固体电子学;材料物理与化学;集成电路工程;凝聚态物理等 课程组教师姓名 职 称 专 业 年 龄 学术专长 张道礼 教授 微电子学与固体电子学 52 微纳制备及集成技术 张建兵 副教授 微电子学与固体电子学 35 微纳制备及集成技术 课程教学目标:
进入新世纪以来,纳电子学有了突飞猛进的发展,全世界每时每刻都有新理念、新现象、新效应和新器件不断提出和发现。通过本课程的实施,争取在综合性能优异的纳尺度器件方面教学内容取得创新性突破。课程适合研究生层次,预计听课人数在100人左右,通过本课程的建设,培养一支具有一定科学素养的从事电子物理与器件的研究队伍,推动我国纳电子物理与器件的发展。
课程教学大纲:
第一章 绪论(课内学时数:2)
§1.1 微电子技术现状和极限
§1.2 纳米结构中的新现象(弹道输运、相位干涉、普适电导涨落、弱局域化、载流子热化、隧穿现象、单电子现象和库仑阻断)
§1.3 特征时间与空间尺度(特征长度、系统尺度半导体材料特征参数)
第二章 纳电子结构及其电子态(课内学时数:6)
§2.1 低维限制系统(二维电子气、以维限制系统、零维系统、量子点接触、反点格子和超小隧道结)
§2.2 低维系统中电子态的描述方法(包络函数方法、量子阱与准二维系统中的电子态、耦合量子阱与超晶格、掺杂异质结系统与自洽解)
§2.3 纳米限制结构中的电子态(量子线中的电子态、量子点中的电子态、量子点中的电子统计)
§2.4 磁场对纳米结构电子态的影响(磁场中的二维电子气、处于磁场中的一维波导:边沿态;磁场中的量子点、量子点的能谱)
第三章 纳电子器件输运理论(课内学时数:6)
§3.1 隧穿理论(隧穿的波函数描述方法、隧穿时间、隧穿电流、量子化电荷隧穿)
§3.2 Landauer公式(单通道形式、多通道Landauer公式、Büttiker公式、Landauer公式讨论)
§3.3 纳电子器件中的量子化电导(实验结果于定性结石、绝热输运模型、温度效应、非均匀效应、非线性输运、应用Landauer公式的条件)
§3.4 复杂纳电子器件中的输运(S矩阵组合方法、格林函数、模式匹配方法、拐弯波导输运、横向共振隧穿、耦合波导)
第四章 共振隧穿现象与器件(课内学时数:6)
§4.1 共振隧穿器件输运理论(RTD相干隧穿理论、双势阱异质结构共振隧穿、散射破坏相位干涉于相继隧穿)
§4.2 共振隧穿器件特性分析(散射因素对器件性能的影响、瞬态特性分析、隧穿时间、材料和结构对器件性能的影响)
§4.3 共振隧穿器件模型(电路模拟共振隧穿器件模型、物理基础共振隧穿器件模型)
§4.4 共振隧穿器件的应用(在高速电路中的应用、在功能电路中的应用)
第五章 量子点单电子器件(课内学时数:6)
§5.1 单电荷疏运的唯象理论
§5.2 单电子器件(双栅硅MOS场效应观众的载流子输运、硅微晶单电子晶体管及库伦阻塞效应、多栅异质结构单电子晶体管)
§5.3 单电子器件在模拟电路中的应用(超灵敏电表、单电子能谱仪、直流电流标准、温度标准、红外辐射探测器)
§5.4 单电子器件在数字电路中的应用(逻辑电路、单电子存贮器)
§5.5 量子点输运的交流特性(半导体量子点电子旋转门、非绝热区、Tien-Gordon理论、光谱电流)
§5.5 量子点计算(量子点原胞自动机的量子模拟、量子点原胞自动机阵列开关、绝热开关电路、量子点原胞自动机的实现方法)
第六章 纳米CMOS器件(课内学时数:6)
§6.1 纳米CMOS器件中的栅工程
§6.2 纳米CMOS器件的沟道工程和超浅结技术
§6.3 新型纳米CMOS器件(新型衬底结构器件、新型栅结构器件、新型沟道结构器件、新型源漏结构器件、新型工作机制器件)
使用教材:
1. An Chen, James Hutchby, Victor Zhirnov, George Bourianoff, Emerging Nanoelectronic Devices, John Wiley and Sons Ltd, 2015
2. Ying F
文档评论(0)