纳电子物理与器件.doc

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纳电子物理与器件

附3.光学与电子信息 学院(系) 硕士 研究生课程简介 课程名称:纳电子物理与器件 课程代码:182.646 英文名称:Nanoelectronic Physics and Devices 课程类型:□高水平课程 ■国际化课程 □高水平国际化课程 □一般课程 课程类别:■一级学科基础程 □二级学科基础课程 □专业课程 考核方式: 开卷 教学方式:课堂讲授 适用层次: 硕士 ■ 博士□ 开课学期: 秋季 总学时/讲授学时: 40/40 学分:2.5 适用专业:微电子学与固体电子学;材料物理与化学;集成电路工程;凝聚态物理等 课程组教师姓名 职 称 专 业 年 龄 学术专长 张道礼 教授 微电子学与固体电子学 52 微纳制备及集成技术 张建兵 副教授 微电子学与固体电子学 35 微纳制备及集成技术 课程教学目标: 进入新世纪以来,纳电子学有了突飞猛进的发展,全世界每时每刻都有新理念、新现象、新效应和新器件不断提出和发现。通过本课程的实施,争取在综合性能优异的纳尺度器件方面教学内容取得创新性突破。课程适合研究生层次,预计听课人数在100人左右,通过本课程的建设,培养一支具有一定科学素养的从事电子物理与器件的研究队伍,推动我国纳电子物理与器件的发展。 课程教学大纲: 第一章 绪论(课内学时数:2) §1.1 微电子技术现状和极限 §1.2 纳米结构中的新现象(弹道输运、相位干涉、普适电导涨落、弱局域化、载流子热化、隧穿现象、单电子现象和库仑阻断) §1.3 特征时间与空间尺度(特征长度、系统尺度半导体材料特征参数) 第二章 纳电子结构及其电子态(课内学时数:6) §2.1 低维限制系统(二维电子气、以维限制系统、零维系统、量子点接触、反点格子和超小隧道结) §2.2 低维系统中电子态的描述方法(包络函数方法、量子阱与准二维系统中的电子态、耦合量子阱与超晶格、掺杂异质结系统与自洽解) §2.3 纳米限制结构中的电子态(量子线中的电子态、量子点中的电子态、量子点中的电子统计) §2.4 磁场对纳米结构电子态的影响(磁场中的二维电子气、处于磁场中的一维波导:边沿态;磁场中的量子点、量子点的能谱) 第三章 纳电子器件输运理论(课内学时数:6) §3.1 隧穿理论(隧穿的波函数描述方法、隧穿时间、隧穿电流、量子化电荷隧穿) §3.2 Landauer公式(单通道形式、多通道Landauer公式、Büttiker公式、Landauer公式讨论) §3.3 纳电子器件中的量子化电导(实验结果于定性结石、绝热输运模型、温度效应、非均匀效应、非线性输运、应用Landauer公式的条件) §3.4 复杂纳电子器件中的输运(S矩阵组合方法、格林函数、模式匹配方法、拐弯波导输运、横向共振隧穿、耦合波导) 第四章 共振隧穿现象与器件(课内学时数:6) §4.1 共振隧穿器件输运理论(RTD相干隧穿理论、双势阱异质结构共振隧穿、散射破坏相位干涉于相继隧穿) §4.2 共振隧穿器件特性分析(散射因素对器件性能的影响、瞬态特性分析、隧穿时间、材料和结构对器件性能的影响) §4.3 共振隧穿器件模型(电路模拟共振隧穿器件模型、物理基础共振隧穿器件模型) §4.4 共振隧穿器件的应用(在高速电路中的应用、在功能电路中的应用) 第五章 量子点单电子器件(课内学时数:6) §5.1 单电荷疏运的唯象理论 §5.2 单电子器件(双栅硅MOS场效应观众的载流子输运、硅微晶单电子晶体管及库伦阻塞效应、多栅异质结构单电子晶体管) §5.3 单电子器件在模拟电路中的应用(超灵敏电表、单电子能谱仪、直流电流标准、温度标准、红外辐射探测器) §5.4 单电子器件在数字电路中的应用(逻辑电路、单电子存贮器) §5.5 量子点输运的交流特性(半导体量子点电子旋转门、非绝热区、Tien-Gordon理论、光谱电流) §5.5 量子点计算(量子点原胞自动机的量子模拟、量子点原胞自动机阵列开关、绝热开关电路、量子点原胞自动机的实现方法) 第六章 纳米CMOS器件(课内学时数:6) §6.1 纳米CMOS器件中的栅工程 §6.2 纳米CMOS器件的沟道工程和超浅结技术 §6.3 新型纳米CMOS器件(新型衬底结构器件、新型栅结构器件、新型沟道结构器件、新型源漏结构器件、新型工作机制器件) 使用教材: 1. An Chen, James Hutchby, Victor Zhirnov, George Bourianoff, Emerging Nanoelectronic Devices, John Wiley and Sons Ltd, 2015 2. Ying F

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