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安全移动存储设备控制芯片Nand闪存驱动固件程序设计与实现 1.Nand Flash简介 Nand Flash是采用Nand结构技术的非易失存储器，Nand Flash芯片设计成了页阵列，可使芯片读取速度更快。典型的Nand Flash芯片中的每一页拥有2048字节的数据区和64字节的备用区的容量，由32页构成一个块。备用区用于存储ECC(Error Checking and Correcting)编码、坏块信息等参数。 1.1 Nand Flash物理结构 典型Nand存储结构如图所示： Nand Flash以页为基本单元进行存储，以块为基本单元进行擦除。Nand Flash都有与页大小相同的页寄存器，用于数据缓存。在命令锁存使能引脚为高电平时，发给芯片的读/写/擦除命令就可以通过写命令写进芯片，当地址锁存使能引脚为高电平时，就可以通过写命令给出地址。Nand Flash的I/O接口可用于控制命令和地址的输入，也可用于数据的输入和输出。当读数据时，先从Nand Flash内存单元把数据读到页寄存器，外部通过访问Nand Flash I/O端口获得页寄存器中数据(地址自动累加);当写数据时，外部通过Nand Flash I/O端口输人的数据首先缓存在页寄存器，写命令发出后才写入到内存单元中。Nand Flash页的最小串行读操作典型时间是25ns，页编程的典型时间