安全移动存储设备控制芯片Nand闪存驱动固件程序设计与实现.ppt

安全移动存储设备控制芯片Nand闪存驱动固件程序设计与实现 1.Nand Flash简介 Nand Flash是采用Nand结构技术的非易失存储器，Nand Flash芯片设计成了页阵列，可使芯片读取速度更快。典型的Nand Flash芯片中的每一页拥有2048字节的数据区和64字节的备用区的容量，由32页构成一个块。备用区用于存储ECC(Error Checking and Correcting)编码、坏块信息等参数。 1.1 Nand Flash物理结构 典型Nand存储结构如图所示： Nand Flash以页为基本单元进行存储，以块为基本单元进行擦除。Nand Flash都有与页大小相同的页寄存器，用于数据缓存。在命令锁存使能引脚为高电平时，发给芯片的读/写/擦除命令就可以通过写命令写进芯片，当地址锁存使能引脚为高电平时，就可以通过写命令给出地址。Nand Flash的I/O接口可用于控制命令和地址的输入，也可用于数据的输入和输出。当读数据时，先从Nand Flash内存单元把数据读到页寄存器，外部通过访问Nand Flash I/O端口获得页寄存器中数据(地址自动累加);当写数据时，外部通过Nand Flash I/O端口输人的数据首先缓存在页寄存器，写命令发出后才写入到内存单元中。Nand Flash页的最小串行读操作典型时间是25ns，页编程的典型时间是200us，块擦除的典型时间是1. 5ms。片内数据可以保存10年。Nand Flash器件在进行写入和擦除操作时需要内存技术设备(Memory Technology Device， 简称MTD)驱动支持。 和Nor Flash相同，Nand Flash也是一种“先擦除再写入”的存储介质，即要写入闪存的某页，须先擦除整个块。 1.2 Nand/Nor Flash比较 1) 闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对Nor芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量Nor闪存的管理，通常将Nor闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对N AN D芯片操作是以“块”为基本单位。Nand闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改Nand芯片中一个字节，必须重写整个数据块。 2）Nor闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；N AND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。 3) 由于Nor地址线和数据线分开，所以Nor芯片可以像SRAM一样连在数据线上。Nor芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。由于Nor的这个特点，嵌入式系统中经常将Nor芯片做启动芯片使用。而Nand共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出，所以直接将Nand芯片做启动芯片比较难。 4) Nand闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因，不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空，只能对一个固定大小的区域进行清零操作；而Nor芯片可以对字进行操作。所以在处理小数据量的I/O操作的时候的速度要快与Nand的速度。比如一块Nor芯片通常写一个字需要10微秒，那么在32位总线上写512字节需要1280毫秒；而Nand闪存写512字节需要的时间包括：512×每字节50纳秒+10微秒的寻页时间+200微秒的片擦写时间＝234微秒。 5）Nand闪存的容量比较大，目前最大容量己经达到8G字节。为了方便管理，Nand的存储空间使用了块和页两级存储体系，也就是说闪存的存储空间是二维的，比如K9F5608UOA闪存块的大小为16K，每页的大小是512字节，每页还16字节空闲区用来存放错误校验码空间(有时也称为out-of-band，OOB空间)；在进行写操作的时候Nand闪存每次将一个字节的数据放入内部的缓存区，然后再发出“写指令”进行写操作。由于对Nand闪存的操作都是以块和页为单位的，所以在向Nand闪存进行大量数据的读写时，Nand的速度要快于Nor闪存。 6）Nor闪存的可靠性要高于Nand闪存，这主要是因为Nor型闪存的接口简单，数据操作少，位交换操作少，因此可靠性高，极少出现坏区块，因而一般用在对可靠性要求高的地方。相反的，Nand型闪存接口和操作均相对复杂，位交换操作也很多，关键性数据更是需安错误探测/错误更正〔EDC/ECC)算法来确保数据的完整性，因此出现问题的几率要大得多，坏区块也是不可避免的，而且由于坏区块是随机分布的，连纠错也无法做到。 7）Nand F