第五章场效应管放大电路(5.5).pptVIP

本章小结 本章小结 二、按照结构的不同，场效应管分为结型和绝缘栅型两种类型，MOS管属于绝缘栅型。每一类型均有两种沟道,N沟道和P沟道，两者的主要区别在于电压的极性和电流的方向不同。MOS管又分为增强型和耗尽型两种形式。 本章小结 三、正确理解场效应管工作原理的关键在于掌握电压vGS及vDS对导电沟道和电流iD的不同作用，并掌握预夹断与夹断这两个状态的区别和条件。转移特性曲线和输出特性曲线描述了vGS、vDS和iD三者之间的关系。与三极管相类似，场效应管有截止区（即夹断区）、恒流区（即放大区）和可变电阻区三个工作区域。在恒流区，可将iD看成受电压vGS控制的电流源。gm、VP（或VT）、IDSS、IDM、PDM、V(BR)DS和极间电容是场效应管的主要参数。 四、 场效应管特性比较 作 业 P249: T5.1.1,T5.1.3,T 5.1.4. T 5.2.1 ,T 5.2.3, T 5.2.4, T 5.2.9. T 5.3.6 ,T 5.3.7 ,T 5.3.8. T 5.5.1. * * 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.5.1 各种FET的特性及注意事项 1．各种FET的特性比较 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.5.1 各种FET的特性及注意事项 2．使用注意事项 (1)在MOS管中，有的产品将衬底引出(这种管子有四个管脚)，可让使用者视电路的需要任意连接。 (2)FET(包括结型和MOS型)通常制成漏极与源极可以互换，而其V—I特性没有明显的变化。 (3)JFET的栅源电压不能接反，但可以在开路状态下保存。 (4)焊接时，电烙铁必须有外接地线，以屏蔽交流电场，防止损坏管子。 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.5.2 各种放大器件电路性能的比较 BJT有三个电极，它在放大电路中可有三种组态，即共射极(CE)、共集电极(CC)和共基极(CB)。 JFET、MESFET、MOSFET也有三种组态，即共源极(CS)、共漏极(CD)和共栅极(CG)。 两种器件的六种组态又可归纳为三种通用的组态，即反相电压放大器(含CE、CS)、电压跟随器(含CC、CD)和电流跟随器(含CB、CG)。 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.5.2 各种放大器件电路性能的比较 例5.5.1 试设计一放大电路，要求其噪声低，能与具有高内阻的信号源匹配，且有较高的上限频率(1 MHz)。(1)确定电路方案；(2)选用放大器件和电路元件参数；(3)导出其中频区源电压AVSM、Ri、和Ro的表达式；(4)算出电路的上限截止频率。 解：(1)确定电路方案 JFET噪声低，而由它构成的倒相电压放大电路具有电压增益较高和输入电阻高的特点，因此第一级选用JFET共源电路；为消除密勒效应，第二级选用BJT电流跟随器。整个电路为共源—共基串接组态，如图5．5．1所示。 解：(1)确定电路方案 (2)选用放大器件和电路元件参数 解：(1)确定电路方案 T1选用JFET CS146，其工作点参数为gm1=18mS， Cgs=2.5pF， Cgd=0.9pF； T2选用BJT3DG4，其工作点的参数为：β=100， rbb’=50Ω， rb’e=1KΩ， cb’e=80 pF， Cb’c=5pF。其他电路元件参数如图所示。 (2)选用放大器件和电路元件参数 解：(1)确定电路方案 (3) 求 AVSM、Ri、和R0 解：(4)求上限频率 （高频小信号等效电路） 解：(4)求上限频率 （高频小信号等效电路） 解：(4)求上限频率 例题：设 gm=3mA/V，?=50，rbe = 1.7k 求：总电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。 前级:场效应管共源极放大器 后级:晶体管共射极放大器 +VCC RS 3M (+24V) R1 20k 10k C2 C3 R4 R3 RL RE2 82k 43k 10k 8k 10k C1 RC T1 RE1 CE2 T2 CE1 RD 10k R2 1M （1）估算各级静态工作点: （略） （2）动态分析: 微变等效电路 首先计算第二级的输入电阻： ri2= R3// R4// rbe=82//43//1.7=1.7 k? 场效应管共源极放大器 晶体管共射极放大器 R3 R4 RC RL RS R2 R1 RD rbe g d s 第二步：计算各级电压放大倍数 场效应管共源极放大器 晶体管共射极放大器 R3 R4 RC RL RS R2 R1 RD rbe g d s 第三步：计算输入电阻、输出电阻 ri=R1//R2=3//1=0.75M ? ro=RC=10k ? 场效应管共源极放大器 晶体管共射极放大器 R3 R4 RC