高电压绝缘基本理论new.ppt

影响变压器寿命的因素 制造工艺不良 过电压的冲击 外部短路 发热与过负荷运行 受潮 绝缘性能衰退 生产过程的措施（制造厂家） 价电子(Valence Electron)的概念 化学键及分子间作用力 离子键（产生电子的转移） 共价键（价电子共有） 金属键（价电子共有、又不为特定原子束缚，为自由电子） 分子作用力分为范德华力(Van der Waals)和氢键 氢键：当H原子与电负性很大、半径很小的原子X以共价键结合为分子时，由于成键电子强烈地偏向X原子，使H原子几乎成为“赤裸”的质子而具有较大的正电荷场强。因而这个H原子可与另一个电负性大、半径小的Y原子产生定向吸引作用，形成X－H…Y结构，其中H原子与Y原子间的作用力称为氢键。 几种介质极化对比 常用介质相对介电常数 电介质的电导 弱极性电介质中主要为杂质离子电导，电阻率ρ达1017??cm。而极性介质因有本征离子电导，ρ约为1010～1014??cm。 液体介质中，悬浮的颗粒或细小水珠引起的电导是主要因素。 固体介质的电导 固体介质有体积及表面电阻；如天气潮湿时常易降低表面电阻。而温度升高时，因解离的离子数增大，使电导增加 γ= A e –B / T 因此测绝缘电阻或泄漏电流时，必须注意温度的影响 带电质点的产生 自由行程的分布 带电质点的迁移率 气体中带电质点的产生途径 金属的表面电离 带电质点的消失 非自持放电和自持放电 汤森放电理论 电子崩内的电子和电流倍增 电子电离系数?的分析 正离子碰撞电离系数β α过程和γ过程同时引起的电流 自持放电的形成 自持放电条件的推导 自持放电条件的闭环图 巴申(Paschen)定律 Townsend放电理论的适用范围 气体击穿的流注(Streamer)理论 正流注(阳极流注)形成的分析 负流注(阴极流注)形成的分析 基于流注理论的自持放电条件 流注(Streamer)理论对pd很大时放电现象的解释 极不均匀电场的击穿、极性效应 放电现象是一种高电场下的电导行为！ 气体放电的不同形式分类 典型的低气压放电伏安特性 气体放电的形态 电场均匀程度的划分 液体电介质的击穿 局部放电的概念 简称为PD（Partial Discharge），指由于电气设备内部绝缘里面存在的弱点，在一定外施电压下发生的局部的重复击穿和熄灭的现象。 局部放电的危害 局部放电发生在绝缘内部的气隙或气泡中，因为在这个很小的空间内即使电场强度很大，它的放电能量仍然非常小，所以它的存在并不影响电气设备的短时绝缘强度。但如一个电气设备在运行电压下长期存在局部放电现象，这些微弱的放电能量和由此产生的一些不良效应，如不良化合物的产生，就可以慢慢地损坏绝缘，日积月累，最后可导致整个绝缘被击穿，发生电气设备的突发性故障。 以三个电容来表征介质内部存在缺陷时的局部放电的机理 Cg：气隙的电容； Cb：和Cg相串联部分的介质电容； Cm：其余大部分绝缘的电容 。 通常气隙很小，Cm?? Cg ?? Cb。 电极间加上交流电压u，则Cg上的电压为ug ug随外加电压u升高，当u上升到Us，ug达到气隙Cg的击穿电压Ug时，气隙Cg放电。于是Cg上的电压瞬间从Ug 下降到Ur，然后放电熄灭。Ur称为残余电压。 放电火花一熄灭，Cg上的电压将再次上升。外加电压仍在上升，Cg上的电压也顺势而上升，当它再次升到Ug时，Cg再次放电，电压再次降到Ur，放电再次熄灭 Cg上的电压从Ug突变为Ur的瞬间，就是局部放电脉冲的形成的时刻，此时通过Cg有一脉冲电流，局部放电时气隙中的电压和电流的变化如图所示 当Cg放电时，放电总电容Cg′应为 Cg′= Cg+[CmCb/(Cm+Cb)] Cg′上的电压变化为(Ug－Ur)，故一次脉冲放出的电荷应为 △qr = (Ug－Ur)[Cg+CmCb/(Cm+Cb)] 当Cm Cb，Cg Cb，Ur = 0时，△qr≈UgCg △qr = (Ug－Ur)[Cg+CmCb/(Cm+Cb)] 在实际试验时，上式中的各个量，都是无法直接测量的。所以需要寻找能反映局部放电的量来测量。外施电压是作用在Cm上的，当Cg上的电压变动(Ug-Ur)时，会造成外施电压的变化量△U应为 △U = Cb（Ug-Ur) /（Cm+Cb) △qr = (Ug－Ur)[Cg+CmCb/(Cm+Cb)] △U = Cb（Ug-Ur) /（Cm+Cb) 由此两式得 △U=Cb·△qr/（CgCm+CgCb+CmCb） △U是总