原创力文档- 1、本文档共16页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
数电第七章_半导体存储器
第七章 半导体存储器 7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 一、一般结构形式 二、分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器 (Read-Only-Memory） ②随机读/写 （Random-Access-Memory） 7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 一、结构 两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“1位的存储单元”，存储单元中有器件相当于存入“1”，无器件相当于存入“0” 存储器的容量：“字数 ×位数” 7.4 存储器容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 一、基本原理 二、举例 《数字电子技术基础》第五版 内蒙古大学电子工程系 输入/出电路 I/O 输入/出 控制 ！单元数庞大 ！输入/输出引脚数目有限 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 总体结构一样，但存储单元不同 二、举例 A1A0的最小项 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 d0 d1 d2 d3 A0 A1 数 据 地 址 A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm 字线 位线 例：用1024 x 1位→ 1024 x 8位的RAM 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 1024 x 8 RAM 例：用256 x 8位→1024 x 8位 RAM 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 0 每一片的地址不连续 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数
文档评论（0）