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高压断路器同步合_分闸技术及应用
产品与应用
文章介绍了同步合、分技术及同步合、分闸装置的组成:永磁驱动机构高压真空断路器,同
步控制器。由于同步合、分闸可以有效削弱操作引起的暂态过电压、暂态过电流,具有潜在价值
及经济效益,因此应用市场宽广。
高压断路器同步合、
分闸技术及应用
高压断路器同步合、分闸技术是指高
压断路器在智能控制器的控制下,实现在
方程
变压器空载合闸时,可以列出下面
系统电压波形指定相角处关、合,使电容
器、空载变压器或空载线路等电器设备能
i0R1+N1
dФ1
dt
= 2U1sin(ω+α) (1)
在最佳时刻投入或退出,使设备本身承受
最小冲击力,从而提高了设备的使用寿命;
同时,同步合、分闸技术也可以降低操作过
程中产生的过电压、过电流。
自上世纪70年代提出断路器选相合、
分闸,至今已有30多年了,在90年代以前,
由于断路器水平及控制器水平较低,选相
合、分闸技术一直停留在理论研究方面。但
是进入90年代,断路器制造水平提高和基
于微处理机、微电子技术的测控技术提高,
用户对供电质量要求提高,断路器选相控
制技术自90年代中期迅速走向实用化,表
现在欧美对选相控制断路器使用量迅速增
加;日本三菱电机公司开发的选相控制断
路器已完成实用性验证,该公司 145kV选
相控制断路器已销往向美国市场。
空载变压器、电容器
同步合、分闸过程分析
空载变压器同步合闸过程分析
式中:
Ф1 ——高压侧绕组的总磁通;
α——合闸时电源的初始相角;
N1 ——高压侧绕组的匝数;
i0 ——高压侧绕组中励磁电流;
R1 ——高压侧绕组的内阻。
由于电阻压降 R1i0 很小略去,式(1)
变为
dФ1
dt
解为
2 U1
N1ω
初始条件:t = 0 时,Ф= 0
得到 C= cosα
N1ω
Ф1=-Фmcos(ωt +α)+Фmcosα (2)
式中:
Фmcos(ωt +α):磁通的稳态分量
Фmcosα:磁通的暂态分量(即涌流)
由(2)式可看出:空载变压器的涌
流的大小与接通电源瞬间电源的初始相角
α有 关 。
π
2
π
2
没有暂态分量(即涌流),合闸后磁通
立即进入稳定状态,可以避免冲击涌流过
程。
2.如果合闸时,α=0(即在 u1=0 的
瞬间合闸)
(4)
π
ω
达到最大值Ф 1= Ф 1max=2 Фm,如图 1 示,
铁心中磁通波形对时间轴不对称。考虑剩
磁Ф 0,则磁通波形再向上移Ф 0,从而使
对应磁化曲线工作点移向饱和区,因此在磁
通变化时,会产生8~15倍额定电流的涌流。
由于电阻 R1存在,合闸冲击涌流逐渐
衰减,一般小型变压器经过几个周波即可
达到稳态;而大型变压器经过数十秒后才
进入稳态。
因此,如果控制断路器在α =90° 或
270°)附近合闸空载变压器,则可大大
降低涌流倍数。
单相电容器组开
断时的瞬态过电压
开断单相电容器
组的电路图见图2。图
中 C 为电容器组总电
容,L为CB的负载侧电
感。
t=0 时,CB 触头
在 t=t2 时,如果此时弧隙介质击穿,
这一过程可以看为Um直流电源经电感L突
然加到电压为 -Um的电容上,因分布参数
产生高频振荡,形成高频电流:
1
)
LC
电容器上电压为
时间第一次过
零时,高频电流被切断,电容器上电压
uc=3Um 最大值,如果此时电弧被熄灭,则
uc 将保持 3U m 不变。
t=t3 时刻,uj=4Um 此时弧隙又出现击
穿,则电容器电压可达到 5 U m(图 3 )。
实际上,由于触头间距在开断过程中不断
增加,因此介质强度不断增大,当介质恢
复强度超过电压增加速度,重击穿现象中
止,完成开断,所以电容上过电压倍数不
会达到 3 倍。
上面讨论是假设弧隙重击穿发生在电
流过零后,因此恢复电压达到最大值。
一般弧隙在电流过零后Ф=0° 90°
击穿(称复燃),因此电源电压 u 在 - u m
与 0 之间变化:
时
时
即Ucm的绝对值不会超过电源电压峰值
Um,这时复燃,不会产生过电压。但是弧
隙在电流过零后Ф=90° 180° 击穿(称重
击穿),在电容器组上会出现过电压。所
以,同一台断路器在开断电容电流时,由
图 1 a=0 时,铁心中磁通波形
刚分开,弧电压很低略
去,因此电源电压与电
容电压相等,即 u=uc。
t=t1 时,电流过
零,电弧熄灭,而电源
电压仍按正弦变化,经
过半周到达正向最大,
但是电容电压 uc=-Um
不再变化。断路器CB触图2 开断单相电容器组电路图
头间电压uj=u-uc=2Um。
图3 开断单相电容器组时瞬态过电压
产品与应用
于每次击穿时Ф不同,过电压大小也不同。
单相电容器组关合时的瞬态过电流
关合单相电容器组的电路图
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