(精选)专用集成电路设计基础教程(来新泉 西电版)第2章 集成电路的基本制造工艺及版图设计课件.ppt

;　　半个多世纪前的1947年贝尔实验室发明了晶体管；1949年Schockley发明了双极（Bipolar）晶体管；1962年仙童公司首家推出TTL（TransistorTransistor Logic）系列器件；1974年ECL（EmitterCoupled Logic）系列问世。双极系列速度快，但其缺点是功耗大，难以实现大规模集成。　　20世纪70年代初期，MOSFET（MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor）晶体管异军突起。;　　现在，CMOS（Complementary MOS）已经无以替代地占据统治地位，对其不断的改进，包括采用硅栅、多层铜连线等，使得其速度和规模都已达到相当高度。然而功耗又重新变成CMOS设计中的重大难题，人们在不断地寻求突破性进展。目前，GaAs（Gallium Arsenide, 砷化镓）工艺仍然是使器件速度最快的半导体工艺，它使器件可以工作在几个吉赫兹的频率上，但功耗较大，单级门功耗可达几个毫瓦。其他还有SiGe（SiliconGermanium，锗化硅）工艺，情况也基本相当。　　除此之外，还有崭露头角的超导（Superconducting）工艺等。;　　1. ASIC主要工艺及选择依据　　目前适用于ASIC的工艺主要有下述5种：　　（1） CMOS工艺：属单极工艺，