(精选)专用集成电路设计实践(西电版)第2章 集成电路工艺基础课件.ppt

第2章 集成电路工艺基础 ; 2.1　引　　言2.1.1　IC制造基本原理　　制造集成电路所用的材料主要包括硅(Si)、锗(Ge)等半导体,以及砷化镓(GaAs)、铝镓砷(AlGaAs)、铟镓砷(InGaAs)等半导体化合物,其中以硅最为常用。半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一类物质。半导体材料之所以能成为制造集成电路的材料,关键在于在纯净的半导体中加入少量的杂质,可以使其导电率在几个数量级范围内改变,这样就可以通过控制掺杂浓度来控制半导体的导电性能,从而制成各种需要的器件。这些杂质元素的作用在于它们能为半导体提供带负电荷的自由电子或带正电荷的空穴。提供自由电子的杂质元素称为施主杂质,提供空穴的杂质元素称为受主杂质,因为它们可以接受硅中的电子,而在原电子处留下空穴。自由电子为多数载流子的半导体称为N型半导体,空穴为多数载流子的半导体称为P型半导体。当把N型半导体和P型半导体有机地结合在一起的时候,在它们的过渡区就形成了PN结,把PN结以某种方式排列并与其他物理结构组合,就可以得到不同的半导体器件。;;2.1.2　工艺类型简介　　按所制造器件的结构不同,可把IC制造工艺分为双极型和MOS型两种基本类型。由双极工艺制造的器件,它的导通机理是将电子和空穴这两种极性的载流子作为在有源区中运载电流的工具,这也是它称为双极工艺的原因。MOS工艺又可以分为单沟道MOS工艺和CMO