普通可控硅及向可控硅的应用.doc

普通可控硅与双向可控硅的应用 目录 前言…………………………………………………………………………3 普通可控硅………………………………………………… 4 可控硅概述………………………………………………………4 普通可控硅工作原理……………………………………………5 普通可控硅的主要参数…………………………………………8 双向可控硅………………………………………………… 9 双向可控硅特点…………………………………………………9 双向可控硅应用…………………………………………………12 双向可控硅的安装………………………………………………17 参考文献………………………………………………………………… 19 前言 1958年，从美国通用电气公司研制成功第一个工业用可控硅开始，电能的变换和控制从旋转的变流机组、静止的离子变流器进入以电力半导体器件组成的变流器时代。至今可控硅及其派生器件广泛应用于各种变流器，并且还在发展中。由于其具有体积小、重量轻功耗小、效率高、响应快等特点，用它构成的变流装置具有可靠性高、寿命长、容易维护等优点，特别是它可节约能源、成本低廉，所以得到飞速的发展，成为目前工业中实现大容量功率变换和控制的主要电力电子器件。 双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是目前比较理想的交流开关器件，所以，一直为家电行业中主要的功率控制器件。 下面对可控硅尤其是广泛应用于家电行业的双向可控硅的应用作以研究。 普通可控硅 可控硅概述 可控硅，一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管。又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR)。毫安级电流控制 可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。可控硅是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图 图1-1可控硅结构示意图 当可控硅承受正向阳极电压时，为使可控硅导，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图所示。 图1-2硅晶体管电流放大倍数曲线 当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高流放大系数a2,产生足够大的极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式（1—1）中，在晶闸管导通后，1-（a1+a2）≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后，门极已失去作用。在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。基本伏安特性 可控硅的基本伏安特性见图 图 可控硅基本伏安特性? 反向特性 当控制极开路，阳极加上反向电压时，J2结正偏，但J1、J结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时，可控硅会发生永久