电气基础(半体元器件)3.ppt

半导体器件 3、晶闸管的主要参数 UTn 额定电压，由生产厂家确定。通常取UTn =（2~3）UTM UF 晶闸管导通时的管压降的平均值，一般在0.4~1.2之间。 IT(AV) 额定电流（通态平均电流），是指在规定的环境温度及散热 条件下允许通过的正弦半波电流的平均值。 以上三个参数是选购晶闸管的主要技术数据 半导体器件 1、二极管的主要特性是（ 单向导电性 ），其主要参数有（ 最大整流电流IFM ）、（ 最高反向工作电压URM ）、（ 反向电流IR ）。 2、二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为（ 0.1V ），硅管约为（ 0.5V ）。 目录 单击此处添加标题文字 单击此处添加文字内容 单击此处添加文字内容 单击此处添加文字内容 单击此处添加标题文字 单击此处添加文字内容 单击此处添加文字内容 单击此处添加文字内容 单击此处添加标题文字 单击此处添加文字内容 单击此处添加文字内容 单击此处添加文字内容 单击此处添加标题文字 单击此处添加文字内容 单击此处添加文字内容 单击此处添加文字内容 The end,thank you! 电气基础 ——制造大类各专业 半导体器件 丁薇 半导体器件 3.1半导体的基本知识 物质按导电能力的不同可分为导体、半导体和绝缘体3类。日常生活中接触到的金、银、铜、铝等金属都是良好的导体，它们的电导率在105S·cm-1量级；而像塑料、云母、陶瓷等几乎不导电的物质称为绝缘体，它们的电导率在10-22~10-14S·cm-1量级；导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体，它们的电导率在10-9~102S·cm-1量级。自然界中属于半导体的物质有很多种类，目前用来制造半导体器件的材料大多是提纯后的单晶型半导体，主要有硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓（GaAs)等。 半导体器件 1. 本征半导体和掺杂半导体 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体。 杂质半导体：在纯净的半导体中加入微量的杂质元素 后形成的半导体。 杂质半导体 N性半导体（电子性半导体）——掺入5价的杂质元素如磷（P），多数载流子是自由电子。 P性半导体（空穴性半导体）——掺入3价的杂质元素如硼（B），多数载流子是空穴。 半导体器件 这是硅和锗构成的共价键结构示意图 晶体结构中的共价键具有很强的结合力，在热力学零度和没有外界能量激发时，价电子没有能力挣脱共价键束缚，这时晶体中几乎没有自由电子，因此不能导电 硅和锗的简化原子模型。 半导体器件 当半导体的温度升高或受到光照等外界因素的影响时，某些共价键中的价电子因热激发而获得足够的能量，因而能脱离共价键的束缚成为自由电子，同时在原来的共价键中留下一个空位，称为“空穴” 。 半导体器件 不论是N型半导体还是P型半导体，虽然都有一种载流子占多数，但晶体中带电粒子的正、负电荷数相等，仍然呈电中性而不带电。 应注意： 半导体之所以得到广泛的应用，是因为它具有以下特性。 2. 半导体的独特性能 （1） 热敏性。温度可明显地改变半导体的电导率。利用这种热敏效应可制成热敏器件。 （2）光敏性。光照不仅可改变半导体的电导率，还可以产生电动势，这就是半导体的光电效应。利用光电效应可制成光敏电阻、光电晶体管、光电耦合器和光电池等。 （3）掺杂性。通过掺入杂质可明显地改变半导体的电导率。例如，室温30°C时，在纯净锗中掺入一亿分之一的杂质（称掺杂），其电导率会增加几百倍。 空间电荷区 3、PN结的形成及单相导电 在一定条件（例如温度一定）下，多数载流子的扩散运动逐渐减弱，而少数载流子的漂移运动则逐渐增强，最后两者达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本稳定下来，PN结就处于相对稳定的状态。 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + PN结的形成演示 空间电荷区（如上图所示），也就是PN结，又叫耗尽层。 P区 N区 空间电荷区 对于电场线的复习 一、电场线：在电场中人为做出的表达电场的强弱和 方向的一系列假想曲线。 二、电场线性质： A.假想的，不是真实的 B.起于正电荷（或无穷远）止于负电荷（或无穷远） C.电场线不相交不闭合。 D.电场线的疏密表示电场的强弱。线上某点的切线方向表示该点