第4章场效应管.pptVIP

模拟电路 主讲人:郭颖 天津工程师范学院电子工程系 E-mail:guoyingfirst@126.com 第四章 场效应管放大器 当0uGS VT时，产生电场，但未形成导电沟道（感生沟道），d、s间加电压后，没有电流产生。 当uGS一定(uGS VT)时， uDS?? iD? ?沟道电位梯度?,当uDS 增加到使uGD =VT 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 预夹断后， iD与uDS的关系曲线 （2）转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const 二. N沟道耗尽型MOSFET 1、制造工艺： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 三、P沟道MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 四 .场效应管的主要参数 (1) 开启电压UT UT 是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 4.2 结型场效应管(JFET) 一. 结型场效应管的结构（以N沟为例）： 二. 结型场效应管的工作原理 在栅源间加负电压uGS ，令uDS =0 ①当uGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。 （2）漏源电压对沟道的控制作用 （4）输出电阻 所以 由图有 * * 4.2结型场效应管 4.3 场效应管放大电路 场效应管放大器的静态偏置 场效应管放大器的交流小信号模型 场效应管放大电路 4.1 MOS场效应管 BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 FET分类： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 4.1 MOS场效应管 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET。分为： 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 一.N沟道增强型MOS管 1.结构 4个电极：漏极D， 源极S，栅极G和 衬底B。 符号： 2.工作原理 当uGS ≤0时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。 当uGS ≥VT时，在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流id产生。 （1）栅源电压uGS对沟道的控制作用 导电沟道又称反型层。 2.工作原理 预夹断后，uDS??夹断区延长?沟道电阻? ? iD基本不变(饱和) （2）uDS对沟道的控制作用 当uGS一定（uGS VT ）时，uDS?? iD??沟道电位梯度??靠近漏极d处的电位升高?电场强度减小?沟道变薄; 整个沟道呈楔形分布 在预夹断处：uGD=uGS-uDS =VT （3） uDS和uGS共同作用时 uDS一定，uGS变化时:给定一个uGS ，就有一条不同的 iD – uDS 曲线。 定义： 开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS。 N沟道增强型MOS管的基本特性： uGS ＜ UT，管子截止， uGS ＞UT，管子导通。 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大。 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ①可变电阻区 : uGSVT uDS≤（uGS－VT） 由于uDS较小，可近似为 rdso是一个受uGS控制的可变电阻 交流输出电阻 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ② 饱和区（恒流区又称放大区） uGS VT ，且uDS≥（uGS－VT） 是uGS＝2VT时的iD V-I 特性： ③截止区 vGS＜VT时，导电沟道未形成，iD＝0，为截止工作状态。 可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例：作uDS=10V的一条转移特性曲线： UT uDS＝10V 一个重要参数——跨导gm： gm=?iD/?u