Chap16-半导体元件及积体电路成形.pptVIP

* 半導體製程(4版)Microchip Fabrication 第16章:半導體元件及積體電路成形 Peter Van Zant 著姜庭隆 譯 李佩雯 校閱滄海書局中 華 民 國 90 年 11 月 28 日 摘要 ? 電阻、電容、二極體 ? 雙載子電晶體、金氧半導體電晶體、複合式電晶體 各種隔離結構作用和形成方法 ? 微機電系統(MEMS) 電阻(resistors) ? 限制電流的流量 ? 具有2個接觸，沒有接合界面的元件 ? 面積A=W×D而得到，W為電阻寬度 D為(摻雜電阻接合界面)深度 摻雜電阻(Doped resistor) 缺點 ? 電阻值並不準確 ? 在有輻射的環境下性能非常差　 圖16.1 電阻值和阻抗係數及尺寸的關係式 圖16.2 擴散 (摻雜) 電阻的成形 圖16.3 　電阻的各種形狀 圖16.4 磊晶層電阻 圖16.5 N型電阻被P型摻雜區“鉗住 磊晶電阻(EPI resistors)　 鉗式電阻(Pinch resistor) 可減少橫截面面積(因此增加電阻值) 薄膜電阻(Thin film resistor)　 沈積法的金屬電阻不產生漏電的問題 圖16.6 薄膜電阻的成形 電容(Capacitors) 氧化物-矽電容(Oxide-silicon capacitors)　 平行板電容、單石(monolithic)式電容、金氧半導體(MOS)電容 ? 金屬-氧化物-半導體 (MOS)結構 ? 氧化層厚度須很薄(約1500埃) ? 氧化物上方的電極為電池板(cell plate) ? 底部的電極(連通矽表面)為貯存點(storage node) 圖16.7 　單石式電容 接合界面電容(Junction capacitors)　 ? 元件的接合界面處會形成一個電容 ? 接合界面兩側施電壓，形成空乏區 (depleted region)，作用如同電容 ? 接合界面電容會減緩電路運作的速度 原因：空乏區必須先充電，而後電流才能流過 壕溝電容(Trench capacitors或埋藏式電容)　 設計的重點在儘量保存晶圓表面的面積 堆疊的電容(Stack capacitors)　 ? 另一種可保留晶圓表面積的方法 ? DRAM內需要很小的高介電性電容 圖16.8 空乏層接合界面電容 　 圖16.9 壕溝電容 二極體(diode) 摻雜二極體(Doped diodes)　 ? 被接合界面分開的二區域 (兩個不同電性的區域相接觸)元件 ? 順向偏壓(forward bias) 電壓的極性和該區域的極性相同，電流可容易的流通 ? 逆向偏壓(reverse-bias) 電壓的極性被反轉時，電流被阻斷 不斷升高逆向電壓，接合界面崩潰(breakdown)後電流即可流通 順向偏壓 逆向偏壓 圖16.11 形成P/N的平面二極體 蕭基能障二極體(Schottky barrier diode)　 ? 1938年(電晶體被發明前10年)蕭基(W. Schottky)發現 ? 金屬和輕微摻雜的半導體相接觸，會形成二極體 ? 有較快的向前時間(它反應較快) ? 比摻雜的矽接合界面二極體更低的電壓即可作用 圖16.12蕭基能障二極體 電晶體(Transistor) ? 三個接線位置、三個零件、 二個接合界面的元件 ? 切換(switch)或放大(amplifier) 雙載子(bipolar也譯為雙極)電晶體 ? 電流由射極(emitter水箱)流經基極(base閥) 進入集極(collector水桶) ? 基極電流控制(放大)流經電晶體 的較大電流(集極電流collector current) 以水類比電晶體的作用 圖16.14 雙載子電晶體的作用 轉移電阻(transfer resistor) 基極電流能改變基極區域的電阻 放大性能(增益gain或貝它beta值) gain或beta=集極電流/基極電流 為增加效率，射極摻雜濃度比基極高， 基極摻雜濃度比集極高 常用NPN型 效率佳，因N區載子為電子，移動力高 優點 切換速率快 缺點 常開狀態(供電基極)產生許多熱量 蕭基能障雙載子電晶體(Schottky barrier bipolar transistors) ? 將基極的接觸(接線)孔延至集極 ? 接觸孔填金屬後，基極和集極間形成蕭基二極體 ? 反應速率極快 圖16.16 橫向式和垂直式PNP電晶體 圖16.17 蕭基能障雙載子電晶體 場效電晶體(field-effect transistor, FET) 金屬閘金氧半導體場效電晶體(Metal-gate MOSFET)