第6章存储器等2008版.ppt

PLD的三种形式 各种ROM PAL,GAL等 PLA等 PLA应用于组合电路 组合电路由PLA实现的框图： 第6章 存储器与可编程逻辑器件 6.2.2 可编程逻辑器件（SPLD) 1、可编程逻辑阵列（PLA) PLA的应用举例 例1 设计一个将4位二进制码转换为格雷码的逻辑电路，并用PLA实现。 解：首先列出代码转换表 1 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 G3G2G1G0 B3B2B1B0 输出格雷码 二进制码输入 写出逻辑表达式： 1、可编程逻辑阵列（PLA) 例1 解：将逻辑式用PLA实现。 PLA的应用举例 1、可编程逻辑阵列（PLA) PLA在时序电路中的应用举例 1、可编程逻辑阵列（PLA) 触发器组成存储器部分，组合电路由实现。 例2：PLA实现8421BCD同步计数器和七段显示译码电路 解：首先求出计数器的激励方程 PLA在时序电路中的应用举例 1、可编程逻辑阵列（PLA) 例2：解：求出实现8421BCD到七段显示的译码器方程 PLA在时序电路中的应用举例 1、可编程逻辑阵列（PLA) 例2：解：作PLA的点阵图 PLA的与阵列 P L A 的 或 阵 列 PLA在时序电路中的应用举例 2、通用阵列逻辑（GAL） GAL16V8—16个可定义的I/O引脚，8个OLMC OLMC—输出逻辑宏单元 OLMC—输出逻辑宏单元 2、通用阵列逻辑（GAL） GAL16V8的结构控制字 编程器按照控制字生成熔丝图写到器件中去 2、通用阵列逻辑（GAL） 6．2．3 高密度可编程逻辑器件(HDPLD) 1 、复杂可编程逻辑器件(CPLD) Altera FLEX10K 城堡式结构 第6章 存储器与可编程逻辑器件 Altera FLEX10K LAB中的LE结构 1 、复杂可编程逻辑器件(CPLD) * * 6．1 存储器 （Memory） 第6章 存储器与可编程逻辑器件 存储器是用来存储二值数字信息的大规模集成电路，是进一步完善数字系统功能的重要部件。它实际上是将大量存储器按一定规律结合起来的整体，可以被比喻为一个由许多房间组成的大旅馆。每个房间有一个号码 （地址码 ），每个房间内有一定内容（一串二进制数码，又称为一个“字” ）。 半导体存储器种类可分为：（1）顺序存储器（S AM） （2）只读存储器（ROM） （3）读写存储器（RAM） 1．CMOS动态移位寄存器 6.1.1 顺序存取存储器SAM 第6章 存储器与可编程逻辑器件 第6章 存储器与可编程逻辑器件 1．CMOS动态k 位移位寄存器 顺序存取存储器SAM 2．k 字n 位先进先出顺序存储器 （FIFOSAM ） 6.1.1 顺序存取存储器SAM 第6章 存储器与可编程逻辑器件 3．k 字n 位先进后出顺序存储器 （FILO SAM ）也称为堆栈 6.1.1 顺序存取存储器SAM 第6章 存储器与可编程逻辑器件 6．1 存储器 读写存储器又称随机存储器。 读写存储器的特点是：在工作过程中，既可从存储器的任意单元读出信息，又可以把外界信息写入任意单元，因此它被称为随机存储器，简称 RAM 。 Random Access Memory . . . RAM 按功能可分为 静态、动态两类； RAM 按所用器件又可分为双极型和 MOS型两种。 6．1．2 随机访问存储器RAM 第6章 存储器与可编程逻辑器件 RAM的一般结构由存储矩阵、地址译码器、读写控制电路组成，具体信号线有地址线A、行选线X、列选线Y、片选线CS、读/写控制线R/W、数据输入/输出 线I/O。 6．1．2 随机访问存储器RAM 静态存储器依靠CMOS反相器组成触发器记忆信息，通过行选线、列选线控制门管的导通与I/O线交换信息，进行读或写。 六管静态存储器单元 动态存储器依靠MOS管栅极电容存储电荷记忆信息，每隔一段时间就需要对存储器进行刷新，以补充电容失去的电荷， 四管动态存储器单元 单管MOS动态存储器依靠存储电容记忆信息，每隔一段时间就需要对存储器进行刷新，以补充电容失去的电荷， 单管MO