电子技术基础期中试题.docVIP

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  • 2018-06-27 发布于河南
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电子技术基础期中试题

09级电子技术基础期中试题(2011.10.26) 一、选择题(每小题2分,共60分。每小题中只有一个选项是正确的) 1.空穴和电子数目相等且数量极少的半导体是( )。 A.纯净半导体B. 杂质半导体 C. P型半导体 D . N型半导体 2、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于( ) A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 3. 一个二极管的反向击穿电压是150V,则其最高反向电压UR应是( ) A、大于150V B、等于150V C、约是75V D、不能确定 4.需要工作在正向电压下的特殊二极管是( ) A . 稳压二极管 B . 光电二极管 C . 发光二极管 C 变容二极管 5. 稳压值为8V的稳压二极管,温度升高,稳压值:( ) A.略有上升 B.略有降低 C.基本不变 D.根据情况而变 6.对三极管共集电极放大电路描述正确的是 A.基极是输入端?,发射极是输出端 B.发射极是输入端,基极是输出端 C.发射极是输入端,集电极是公共端 D.集电极是输入端,发射极是输出端 7.静态工作点对放大器的影响,以下叙述正确的是 A.静态工作点偏高,产生截止失真 B.静态工作点偏低,产生饱和失真 C.静态工作点偏高,产生饱和

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