嵌入式存储器eMRAMeFlashSIP-GlobalFoundries.PDF

格芯TM 130 nm 55LPx e M F A l R a s h M Embedded 嵌入式存储器： e Memory 22FDX® SIP 40LP eMRAM、eFlash、SIP 28SLP 功能多样、可靠性佳 亮点 经济高效、量产就绪的嵌入式存储器解决方案， 通用型MCU、物联网、汽车、工业和消费电子应用的最优选择 • eMRAM ：功能多样、速度超快 + 超高擦写次数（10E8次） 格芯基于130nm至22nm工艺平台，提供多种嵌入式存储器解决方案。其中包括嵌 + 数据保存期限超过10年 入式磁阻性存储器(eMRAM)、嵌入式闪存(eFlash)和系统级封装(SIP Flash)。可以 + 读延迟（低至12.5ns） 满足新兴市场的各种需求。 + 低功耗（1 pJ/位） 格芯的低功耗eMRAM系列是MCU和物联网市场的理想选择，超快的访问速度和 + 写延迟（低至40ns/页） 高存储容量使其成为计算和存储市场的最佳搭档。eFlash解决方案（加上RF和模 + 支持1级汽车应用（开发中） 拟模块及多种IP ）特别针对可穿戴式设备、物联网、汽车、工业和消费电子等具体 + 代码、数据存储 应用进行了优化。SIP Flash是一款基于灵活经济型封装的解决方案，满足低成 + 与Everspin®联手打造 本、高容量存储器需求，可大幅缩短产品上市时间。 • eFlash ：高可靠性 + 擦写次数（高达200K次） + 数据保存期限长（达25年） 格芯嵌入式存 储器系列 eMRAM eFlash SIP Flash + 读延迟低（低至10ns） + 全面支持1级和0级汽车应用 通用型MCU、物联网、 汽车、电源管理、模 主要应用 可穿戴式设备、汽车、 拟控制器、工业、智 家庭安防、健康和健身、可 + SST SuperFlash®技术 服务器、计算 能卡、MCU 、可穿戴 穿戴式设备、传感器集线器 式设备 • SIP Flash ：上市时间快 • 功能多样（可同时作为 + 逻辑 + QSPI NOR闪存* 代码存储和计算缓存） • 数据保存期限长 • 容量高 • 完全集成 • 节能 + 多种封装（BGA、QFN ） 主要特性 • 读取速率超快 • 读延迟低 • 存储器价格低 • 耐用 • 支持恶劣环境