光电子器件总复习 1.1.1半导体物理基础 1.1.2半导体发光 1.2.1典型半导体发光材料 1.3.2基本原理及结构 3.1光电系统的基本概念.pptVIP

在绝对零度，可以被电子填满的最高能带形成价带。 价带之上，电子可以摆脱单个原子束缚，并在整个半导体材料中自由移动的能带，称为导带。 对半导体而言，价带与导带之间由禁带相隔。 1.1.1 半导体物理基础 Eg=Ec-Ev 半导体的能带结构简图 本征半导体： 本征半导体是纯净而不含任何杂质的理想半导体材料。 由于晶体中原子的热振动，价带中的一些电子被激发到导带，同时在价带中留下空穴，形成电子-空穴对。因此，本征半导体中的电子浓度与空穴浓度相等。 1.1.1 半导体物理基础 1. 本征半导体中有两种载流子 — 自由电子和空穴 它们是成对出现的 2. 在外电场的作用下，产生电流 — 电子流和空穴流 电子流 自由电子作定向运动形成的 与外电场方向相反 自由电子始终在导带内运动 空穴流 价电子递补空穴形成的 与外电场方向相同 始终在价带内运动 本征半导体： 1.1.2 半导体发光 一、辐射跃迁： 半导体材料中的电子由高能态向低能态跃迁时，以光子的形式释放多余的能量，这称为辐射跃迁，辐射跃迁的过程也就是半导体材料的发光过程。 跃迁是电子-空穴对复合 同时考虑辐射跃迁过程和非辐射跃迁过程时，则有： 发光效率： 高效率的发光器件需要辐射寿命远小于非辐射寿命。 1.1.2 半导体发光 N为高能态电子数，τR=A-1为高能态辐射寿命 一、GaAs GaAs是一种重要的III-V族化合物半导体，典型的直接跃迁型发光材料。直接跃迁发射的光子能量在1.42ev左右，相应波长在873nm附近，属于近红外波段。 GaAs发光二级管主要是在P区发光，原因在于注入电子的迁移率远高于空穴的迁移率。 1.2.1 典型半导体发光材料 由于电子迁移率比空穴迁移率大得多，出现大量电子向P区扩散，构成对P区少数载流子的注入。这些电子与价带上的空穴复合，复合时得到的能量以光能的形式释放。 1. 发光二极管的核心是PN结，构成PN结的材料为直接带隙材料。 2. 当加正向偏置时势垒下降，p区和n区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率μ比空穴迁移率大得多，出现大量电子向P区扩散，构成对P区少数载流子的注入。这些电子与价带上的空穴复合，复合时得到的能量以光能的形式释放。这就是P-N结发光的原理。 一、工作原理 3.当注入正向电流时，注入结区的非平 衡载流子在扩散过程中自发辐射发出 非相干光。在发光二极管的结构中不 存在谐振腔，也不需要粒子数反转。 1.3.2 基本原理及结构 老化：LED发光亮度随着长时间工作而出现光强或光亮度衰减现象。器件老化程度与外加恒流源的大小有关，可描述为: Bt=BO e-t/τ， Bt为t时间后的亮度， BO为初始亮度。 通常把亮度降到Bt=1/2BO所经历的时间t称为二极管的寿命。测定t要花很长的时间，通常以推算求得寿命。 测量方法：给LED通以一定恒流源，点燃103 ~104 小时后，先后测得BO ，Bt=1000~10000，代入Bt=BO e-t/τ求出τ；再把Bt=1/2BO代入，可求出寿命t。 长期以来总认为LED寿命为106小时，这是指单个LED在IF=20mA下。随着功率型LED开发应用，国外学者认为以LED的光衰减百分比数值作为寿命的依据。如LED的光衰减为原来35%，寿命＞6000h。 (6) 寿命 图1 图2 4．辐射出射度 对于具有一定面积的辐射体，其表面上不同位置发 光的强弱可能是不一样的。为了描述任意一点B处的 发光强弱，在B点周围取面积元dA，假定它所发射的 辐射通量为dΦe(不管其辐射方向和立体角的大小)， 如图1所示，则B点的辐射出射度可表示为： Me=dΦe/dA （3） 即发光面上一点的辐射出射度是该面积元的辐射通量dΦe除以该面积元面积之商。辐射出射度的单位为瓦特每平方米(W·m-2)。当辐射面均匀发光时，上式可表示为： Me=Φe/A 5．光亮度 光源表面上一点处在给定方向的光亮度是包含该点的 面积元在给定方向的发光强度与面积元在垂直于该方向 的平面上的正交投影面积之商，用L表示。其表达式 为： L=I/(dA·cosθ) （9） 由上式可见，θ方向的光亮度L是投影θ方向的单位面 积上的发光强度。或者说是投影到θ方向的单位投影面 积单位立体角内的光通量。光亮度的单位为坎德拉每平