第一章节_常用半导体器件幻灯片.ppt

1.3 双极型晶体管 1.3.1 BJT的结构简介 1.3.2 BJT的电流分配与放大原理 1.3.3 BJT的特性曲线 1.3.4 BJT的主要参数 三 极 管 实 物 图 1.3.1 BJT的结构简介 1.3 双极型晶体管 NPN型三极管的结构 PNP型三极管的结构 管芯结构剖面图 三极管的结构特点: 1.3.1 BJT的结构简介 1.3 双极型晶体管 1、发射区的掺杂浓度集电区掺杂浓度。 2、基区很薄(1μm~几μm)且浓度很低。 3、集电区面积基区面积发射区面积。 NPN管的符号 PNP管的符号 e b c e b c 1.3.2 BJT的电流分配与放大原理 1.3 双极型晶体管 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 1. 各极的作用： 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基 区：传送和控制载流子 1.3 双极型晶体管 发射区：发射结正偏多数载流子参与导电 集电区：集电结反偏少数载流子参与导电 基 区：多数、少数载流子都参与导电 各极的导电载流子 外部条件：发射结正偏，集电结反偏 1.3 双极型晶体管 电流分配关系 根据载流子的运动过程可知: 其值约为：0.9～0.99。 共基直流电流放大系数 Common-base DC current gain 定义 1.3 双极型晶体管 载流子的运动过程 1.3 双极型晶体管 定义： 共射直流电流放大系数 Common-emitter DC current gain （当 时， ） 穿透电流 C-E cut-off current β由材料、掺杂浓度以及工艺有关,反映三极管电流放大能力 1.3 双极型晶体管 定义： 共射交流电流放大系数 Common-emitter current gain 假设： 变化时， 不随之变化，则： 事实上β是与Ic有关的： 其值约为：几十～数千 常用：几十～几百 1.3 双极型晶体管 1.3.3 BJT的特性曲线 一、共发射极输入特性： 1.3 双极型晶体管 共发射极输入特性曲线 共射输入特性曲线是以uCE为参变量时，iB与uBE间的关系曲线，即 1.3 双极型晶体管 二、共发射极输出特性： 共射输出特性曲线是以iB为参变量时，iC与uCE间的关系曲线，即 1.3 双极型晶体管 输出特性三个区域的特点 (1) 放大区： 发射结正偏，集电结反偏。 (2) 截止区： 发射结截止，集电结反偏。 (3) 饱和区： 发射结正偏，集电结正偏。 1.3 双极型晶体管 深度饱和 临界饱和 三极管工作状态总结 1.3 双极型晶体管 状态 发射结 集电结 IC 截止 UBE UON 反偏 0 放大 正偏 反偏 bIB 饱和 正偏 正偏 bIB 三极管处于放大状态的特点 电流关系 电位关系 1.3 双极型晶体管 三极管举例 电路如图所示，β=50，VCC =12V，RB =50k，RC =5k。 当VBB =-1V，2V，4V时，求晶体管的工作状态？ 思路：求出BJT各极电位,从而得出BE结和BC结偏置关系，再判断工作状态 1.3 双极型晶体管 1.3.4 BJT的主要参数 1. 电流放大倍数 共射交流电流放大倍数 共基直流电流放大倍数 共基交流电流放大倍数 共射直流电流放大倍数 1.3 双极型晶体管 ①集电结反向饱和电流ICBO 指E开路，C与B之间加反向电压时的反向饱和电流(μA级)。 ②穿透电流 ICEO 指基极开路，集电极与发射极之间加反向电压时，从集电极穿过基区流入发射极的反向饱和电流。 ICEO = (1+ β )ICBO 2. 极间反向电流 ICEO是衡量三极管性能稳定与否的重要参数之一，其值愈小愈好。 ICBO和ICEO与温度密切相关。 特征频率fT是指β下降到1时的信号频率（失去电流放大能力）。 3. 频率特性 1.3 双极型晶体管 ① 集电极最大允许电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的 ? 下降，当 ? 下降到正常值的2/3时的集电极电流即为ICM 。 ② 反向击穿电压 晶体管某一电极开路时,另外两极间所允许加的最高反向电压称为反向击穿电压 超过反向击穿电压时，管子将发生击穿。反向击穿电压的大小不仅与管子本身的特性有关，还与外电路的接法有关。 4. 极限参数 U(BR)CBO U(BR)CEO U(BR) EBO 1.3 双极型晶体管 IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO