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1.6.2晶闸管的触发电路 作用：产生符合要求的门极触发脉冲，保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通 广义上讲，还包括对其触发时刻进行控制的相位控制电路 晶闸管触发电路应满足下列要求： 触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通（擎住电流, 负载性质, 电路型式） 触发脉冲应有足够的幅度 不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内 应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离 t1~t2?脉冲前沿上升时间（1?s）　t1~t3?强脉冲宽度 IM?强脉冲幅值（3IGT~5IGT） t1~t4?脉冲宽度　　I?脉冲平顶幅值（1.5IGT~2IGT） 图1-26　理想的晶闸管触发脉冲电流波形 门极触发电流IGT: 使晶闸管由断态转入通态所必须的最小门极电流 图1-27 常见的 晶闸管触发电路 V1、V2构成脉冲放大环节 ?V1、V2导通时，通过脉冲变压器向晶闸管的门极和阴极之间输出触发脉冲 脉冲变压器TM和附属电路构成脉冲输出环节 VD1和R3是为了V1、V2由导通变为截止时脉冲变压器TM释放其储存的能量而设 强脉冲部分, 由其他附加电路形成 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 1. 电流驱动型器件的驱动电路 GTO GTO的开通控制与普通晶闸管相似，但对脉冲前沿的幅值和陡度要求高，且一般需在整个导通期间施加正门极电流 使GTO关断需施加负门极电流，对其幅值和陡度的要求更高，关断后还应在门阴极施加约5V的负偏压以提高抗干扰能力 图1-28　推荐的GTO门极电压电流波形 驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分，可分为脉冲变压器耦合式和直接耦合式两种类型 直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可得到较陡的脉冲前沿，因此目前应用较广，但其功耗大，效率较低 二极管VD1和电容C1提供+5V电压 VD2、VD3、C2、C3构成倍压整 流电路提供+15V电压 VD4和电容C4提供-15V电压 V1开通时，输出正强脉冲 V2开通时输出正脉冲平顶部分 V2关断而V3开通时输出负脉冲 V3关断后R3和R4提供门极负偏压 图1-29典型的直接耦合 式GTO驱动电路 典型的直接耦合式GTO驱动电路： GTR 开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态，使之 不进入放大区和深饱和区 关断GTR时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗，关断后同样应在基射极之间施加一定幅值（6V左右）的负偏压 图1-30　理想的GTR基极驱动电流波形 GTR的一种驱动电路，包括电气隔离和晶体管放大电路 二极管VD2和电位补偿二极管VD3构成贝克箝位电路，也即一种抗饱和电路，负载较轻时，如V5发射极电流全注入V，会使V过饱和。有了贝克箝位电路，当V过饱和使得集电极电位低于基极电位时，VD2会自动导通，使多余的驱动电流流入集电极，维持Ubc≈0。 C2为加速开通过程的电容。开通时，R5被C2短路。可实现驱动电流的过冲，并增加前沿的陡度，加快开通 驱动GTR的集成驱动电路：THOMSON公司的UAA4002和三菱公司的M57215BL 图1-31　GTR的一种驱动电路 2. 电压驱动型器件的驱动电路 栅源间、栅射间有数千皮法的电容，为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小 使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V，使IGBT开通的驱动电压一般15 ~ 20V 关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取 -5 ~ -15V）有利于减小关断时间和关断损耗 在栅极串入一只低值电阻（数十欧左右）可以减小寄生振荡，该电阻阻值应随被驱动器件电流额定值的增大而减小 电力MOSFET的一种驱动电路:：电气隔离和晶体管放大电路两部分 无输入信号时高速放大器A输出负电平,V3导通输出负驱动电压 当有输入信号时A输出正电平，V2导通输出正驱动电压? 专为驱动电力MOSFET而设计的混合集成电路有三菱公司的M57918L，其输入信号电流幅值为16mA，输出最大脉冲电流为+2A和-3A，输出驱动电压+15V和-10V。 图1-32 电力MOSFET的 一种驱动电路 常用的有三菱公司的M579系列（如M57962L和M57959L）和富士公司的EXB系列（如EXB840、EXB841、EXB850和EXB851） 内部具有退饱和检测和保护环节，当发生过电流时能快速响应但慢速关断IGBT，并向外部电路给出故障信号 M57962L输出的正驱动电压均为+15V左右，负驱动电压为 -10V。 图1-33　M57962L型IGBT驱动器的原理和接线图 IGBT的驱动: 多采用专用的混合集成驱动器? 1.7 电力电子器件的保护 1.7.1 过压的产生及保护 电力电子装置可能的过电压—外因过电压和内因过电压 外因过电压