第一章节半导体器件幻灯片.ppt

四、主要参数 1、交流放大倍数与直流放大倍数 2、 ICBO 集电极-基极反向饱和电流： 受温度影响较大，是影响管子工作特性的主要因素； 3、 ICEO 穿透电流： 受温度影响较大，是影响管子工作特性的主要因素； 4、几个极限参数： ICM：集电极最大电流； UCEO： 集-射反向击穿电压；UCBO,UEBO PCM ：集电极最大允许功耗； 五、温度对参数的影响 1、对ICEO和ICBO的影响； 2、 ?：温度升高1℃， ?值增大0.5%~1%; 3、对UBE的影响：温度升高1℃， UBE 约下降2~2.5mv; 4、温度升高， IC值增大; (1)共发射极直流电流放大系数 1. 电流放大系数 (2) 共发射极交流电流放大系数 ?=?IC/?IB?vCE=const (4)共基极交流电流放大系数 α=?IC/?IE? VCB=const (3) 共基极直流电流放大系数 α ≈IC/IE (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 2. 极间反向电流 ICEO (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。 ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。 (1)集电极最大允许电流ICM (2)集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCE 3. 极限参数 当集电极电流增加时，? 就要下降，当?值下降到线性放大区?值的2/3时所对应的最大集电极电流。 IC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。只是管子的放大倍数降低。 (3) 反向击穿电压 V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 六、光电三极管 主要作用：在电路中完成 电 光 电的转换和传输 转换过程 1、当在输入端加上适当的电压时， 发光二极管发光 2、光电管受到光照后产生电流， 由输出端引出； 光电耦合器符号 主要特点 1、输入端与输出端电气绝缘，可有效地抗干扰、隔离噪声； 2、响应速度快，稳定可靠，使用寿命长，信号传输失真小， 工作频率高等； 3、可以完成电平转换，实现电位隔离等功能； 应用 电气隔离、抗干扰一例 第五节 场效应晶体管 1、结型场效应管（JFET)结构 P+ P+ N G S D 导电沟道 结型场效应管 动画一 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极，用G或g表示 符号 符号 ① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 当沟道夹断时,ID减小至0，此时对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP ( 或VGS(off) )。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄 ? ? VGS继续减小，沟道继续变窄， ID继续变小 D P+ P+ N G S VDS ID VGS 当VGS=0时，沟道最宽，沟道电阻最小，在VDS的作用下N沟道内的电子定向运动形成漏极电流ID,此时最大。 ? 沟道电阻变大 ? ID变小 2、结型场效应管（JFET)的工作原理 根据其结构，它只能工作在反偏条件下，N沟道管加负栅源电压， P沟道管加正栅源电压，否则将会出现栅流。 动画二 ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时， VDS? ? ID ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时VDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? ID基本不变 ? 2、结型场效应管（JFET)的工作原理 D P+ P+ N G S VDS ID VGS ③VGS和VDS同时作用时 当VP VGS0 时， 导电沟道更容易夹断， 对于同样的VDS ， ID的值比VGS=0时的值要小。 在预夹断处 VGD=VGS-VDS =VP 2、结型场效应管（JFET)的工作原理 D P+ P+ N G S VDS ID VGS 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于